Physical properties of metal–insulator–semiconductor structures based on  n -GaAs with InAs quantum dots deposited onto the surface of an  n -GaAs layer

S. V. Tikhov; O. N. Gorshkov; M. N. Koryazhkina; A. P. Kasatkin; I. N. Antonov; O. V. Vihrova; A. I. Morozov

doi:10.1134/S1063782616120228

Physical properties of metal–insulator–semiconductor structures based on n-GaAs with InAs quantum dots deposited onto the surface of an n-GaAs layer

Авторлар: Tikhov S.V.¹, Gorshkov O.N.¹, Koryazhkina M.N.¹, Kasatkin A.P.¹, Antonov I.N.¹, Vihrova O.V.¹, Morozov A.I.¹
Мекемелер:
1. Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod (NNSU)
Шығарылым: Том 50, № 12 (2016)
Беттер: 1589-1594
Бөлім: XX International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 14–18, 2016
URL: https://ogarev-online.ru/1063-7826/article/view/198797
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616120228
ID: 198797

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

The properties of metal–insulator–semiconductor (MIS) structures based on n-GaAs in which silicon oxide and yttria-stabilized zirconia and hafnia are used as the insulator containing InAs quantum dots, which are embedded at the insulator/n-GaAs interface, are investigated. The structures manifest the resistive switching and synaptic behavior.