Информация об авторе

Maltsev, P. P.

Выпуск Раздел Название Файл
Том 50, № 2 (2016) Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena Electron transport and optical properties of structures with atomic tin nanowires on vicinal GaAs substrates
Том 50, № 2 (2016) Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena Structural and photoluminescence properties of low-temperature GaAs grown on GaAs(100) and GaAs(111)A substrates
Том 50, № 2 (2016) Physics of Semiconductor Devices Laser-assisted simulation of transient radiation effects in heterostructure components based on AIIIBV semiconductor compounds
Том 50, № 10 (2016) Physics of Semiconductor Devices Fabrication of a terahertz quantum-cascade laser with a double metal waveguide based on multilayer GaAs/AlGaAs heterostructures
Том 50, № 10 (2016) Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures Investigation of the fabrication processes of AlGaN/AlN/GaN НЕМТs with in situ Si3N4 passivation
Том 51, № 3 (2017) Spectroscopy, Interaction with Radiation Terahertz-radiation generation in low-temperature InGaAs epitaxial films on (100) and (411) InP substrates
Том 51, № 4 (2017) Physics of Semiconductor Devices Terahertz-radiation generation and detection in low-temperature-grown GaAs epitaxial films on GaAs (100) and (111)A substrates
Том 51, № 4 (2017) Physics of Semiconductor Devices Terahertz radiation in In0.38Ga0.62As grown on a GaAs wafer with a metamorphic buffer layer under femtosecond laser excitation
Том 51, № 4 (2017) Physics of Semiconductor Devices Energy spectrum and thermal properties of a terahertz quantum-cascade laser based on the resonant-phonon depopulation scheme
Том 51, № 6 (2017) Electronic Properties of Semiconductors Electron properties of surface InGaAs/InAlAs quantum wells with inverted doping on InP substrates
Том 51, № 9 (2017) Physics of Semiconductor Devices Electrical and thermal properties of photoconductive antennas based on InxGa1 – xAs (x > 0.3) with a metamorphic buffer layer for the generation of terahertz radiation
Том 52, № 3 (2018) Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures Photoluminescence Studies of Si-Doped Epitaxial GaAs Films Grown on (100)- and (111)A-Oriented GaAs Substrates at Lowered Temperatures

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».