Информация об авторе

Pikhtin, N. A.

Выпуск Раздел Название Файл
Том 50, № 5 (2016) Physics of Semiconductor Devices Dependence of the electron capture velocity on the quantum-well depth in semiconductor lasers
Том 50, № 6 (2016) Physics of Semiconductor Devices Narrowing of the emission spectra of high-power laser diodes with a volume Bragg grating recorded in photo-thermo-refractive glass
Том 50, № 9 (2016) Physics of Semiconductor Devices On the problem of internal optical loss and current leakage in laser heterostructures based on AlGaInAs/InP solid solutions
Том 50, № 10 (2016) Electronic Properties of Semiconductors Room-temperature operation of quantum cascade lasers at a wavelength of 5.8 μm
Том 50, № 10 (2016) Physics of Semiconductor Devices Study of the pulse characteristics of semiconductor lasers with a broadened waveguide at low temperatures (110–120 K)
Том 51, № 7 (2017) Physics of Semiconductor Devices Increase in the internal optical loss with increasing pump current and the output power of quantum well lasers
Том 52, № 2 (2018) Surfaces, Interfaces, and Thin Films Oxygen Nitrogen Mixture Effect on Aluminum Nitride Synthesis by Reactive Ion Plasma Deposition
Том 52, № 8 (2018) Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena Effect of Misorientation and Preliminary Etching of the Substrate on the Structural and Optical Properties of Integrated GaAs/Si(100) Heterostructures Produced by Vapor Phase Epitaxy
Том 52, № 12 (2018) Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena All-Electric Laser Beam Control Based on a Quantum-Confined Heterostructure with an Integrated Distributed Bragg Grating
Том 53, № 6 (2019) Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena Specific Features of Carrier Transport in n+–n0–n+ Structures with a GaAs/AlGaAs Heterojunction at Ultrahigh Current Densities
Том 53, № 6 (2019) Physics of Semiconductor Devices Specific Features of Closed-Mode Formation in Rectangular Resonators Based on InGaAs/AlGaAs/GaAs Heterostructures for High-Power Semiconductor Lasers
Том 53, № 11 (2019) Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures On the Phase Composition, Morphology, and Optical and Electronic Characteristics of AlN Nanofilms Grown on Misoriented GaAs(100) Substrates

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».