Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures

Выпуск Название Файл
Том 51, № 8 (2017) Experimental studies of the effects of atomic ordering in epitaxial GaxIn1–xP alloys on their structural and morphological properties PDF
(Eng)
Seredin P., Lenshin A., Khudyakov Y., Arsentyev I., Kaliuzhny N., Mintairov S., Nikolaev D., Prutskij T.
Том 51, № 8 (2017) Effect of ammonium-sulfide solvent on the surface passivation of GaSb (100) PDF
(Eng)
Lebedev M., Lvova T., Pavlov S., Sedova I.
Том 51, № 8 (2017) InSb quantum dots produced by liquid-phase epitaxy on InGaAsSb/GaSb substrates PDF
(Eng)
Sokura L., Parkhomenko Y., Moiseev K., Nevedomsky V., Bert N.
Том 51, № 6 (2017) Influence of a static magnetic field on the formation of silicide phases in a Cu/Si(100) structure upon isothermal annealing PDF
(Eng)
Buchin E., Naumov V., Vasilyev S.
Том 51, № 6 (2017) Effect of deposition temperature on the structure and optical properties of zinc-selenide films produced by radio-frequency magnetron sputtering PDF
(Eng)
Kobziev V., Zakirova R., Kostenkov N., Krylov P., Fedotova I.
Том 51, № 6 (2017) On the detachment of thin ITO films from silicon substrate by microsecond laser irradiation PDF
(Eng)
Kirienko D., Berezina O.
Том 51, № 6 (2017) Structural features of Sm1–xEuxS thin polycrystalline films PDF
(Eng)
Kaminskii V., Solov’ev S., Khavrov G., Sharenkova N., Hirai S.
Том 51, № 5 (2017) InAs QDs in a metamorphic In0.25Ga0.75As matrix, grown by MOCVD PDF
(Eng)
Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Maximov M., Nadtochiy A., Nevedomskiy V., Zhukov A.
Том 51, № 5 (2017) Ab initio studies of structural, electronic, optical, elastic and thermal properties of CuGaTe2 PDF
(Eng)
Singh P., Sharma S., Kumari S., Saraswat V., Sharma D., Verma A.
Том 51, № 4 (2017) In As1–xSbx heteroepitaxial structures on compositionally graded GaInSb and AlGaInSb buffer layers PDF
(Eng)
Guseynov R., Tanriverdiyev V., Kipshidze G., Aliyeva Y., Aliguliyeva K., Abdullayev N., Mamedov N.
Том 51, № 4 (2017) Surface nanostructuring in the carbon–silicon(100) system upon microwave plasma treatment PDF
(Eng)
Yafarov R., Shanygin V.
Том 51, № 4 (2017) Investigation of spatial distribution of photocurrent in the plane of a Si p–n photodiode with GeSi nanoislands by scanning near-field optical microscopy PDF
(Eng)
Filatov D., Kazantseva I., Shengurov V., Chalkov V., Denisov S., Gorshkov A., Mishkin V.
Том 51, № 4 (2017) Silicon nanowire array architecture for heterojunction electronics PDF
(Eng)
Solovan M., Brus V., Mostovyi A., Maryanchuk P., Orletskyi I., Kovaliuk T., Abashin S.
Том 51, № 3 (2017) Separation of III–N/SiC epitaxial heterostructure from a Si substrate and their transfer to other substrate types PDF
(Eng)
Kukushkin S., Osipov A., Red’kov A.
Том 51, № 3 (2017) Structural and optical properties of silicon-carbide nanowires produced by the high-temperature carbonization of silicon nanostructures PDF
(Eng)
Pavlikov A., Latukhina N., Chepurnov V., Timoshenko V.
Том 51, № 3 (2017) Effect of energy density on the target on SnO2:Sb film properties when using a high-speed particle separator PDF
(Eng)
Parshina L., Khramova O., Novodvorsky O., Lotin A., Petukhov I., Putilin F., Shcherbachev K.
Том 51, № 3 (2017) Pulsed laser deposition of AlxGa1–xAs and GaP thin films onto Si substrates for photoelectric converters PDF
(Eng)
Lunin L., Lunina M., Devitsky O., Sysoev I.
Том 51, № 3 (2017) Properties of ZnO:Er3+ films obtained by the sol–gel method PDF
(Eng)
Malyutina-Bronskaya V., Semchenko A., Sidsky V., Fedorov V.
Том 51, № 2 (2017) Study of the structural and optical properties of GaP(N) layers synthesized by molecular-beam epitaxy on Si(100) 4° substrates PDF
(Eng)
Kryzhanovskaya N., Polubavkina Y., Nevedomskiy V., Nikitina E., Lazarenko A., Egorov A., Maximov M., Moiseev E., Zhukov A.
Том 51, № 2 (2017) The temperature dependence of the conductivity peak values in the single and the double quantum well nanostructures n-InGaAs/GaAs after IR-illumination PDF
(Eng)
Arapov Y., Gudina S., Klepikova A., Neverov V., Harus G., Shelushinina N., Yakunin M.
Том 51, № 1 (2017) InGaN/GaN light-emitting diode microwires of submillimeter length PDF
(Eng)
Lundin W., Rodin S., Sakharov A., Lundina E., Usov S., Zadiranov Y., Troshkov S., Tsatsulnikov A.
Том 51, № 1 (2017) Surface texture of single-crystal silicon oxidized under a thin V2O5 layer PDF
(Eng)
Nikitin S., Verbitskiy V., Nashchekin A., Trapeznikova I., Bobyl A., Terukova E.
Том 51, № 1 (2017) Nanoscale Cu2O films: Radio-frequency magnetron sputtering and structural and optical studies PDF
(Eng)
Kudryashov D., Gudovskikh A., Babichev A., Filimonov A., Mozharov A., Agekyan V., Borisov E., Serov A., Filosofov N.
Том 51, № 1 (2017) On the laser lift-off of lightly doped micrometer-thick n-GaN films from substrates via the absorption of IR radiation in sapphire PDF
(Eng)
Zubrilov A., Gorbunov R., Latishev F., Bochkareva N., Lelikov Y., Tarkhin D., Smirnov A., Davydov V., Sheremet I., Shreter Y., Voronenkov V., Virko M., Kogotkov V., Leonidov A., Pinchuk A.
Том 51, № 1 (2017) Epitaxial AlxGa1 – xAs:Mg alloys with different conductivity types PDF
(Eng)
Seredin P., Lenshin A., Arsentiev I., Zhabotinskii A., Nikolaev D., Tarasov I., Shamakhov V., Prutskij T., Leiste H., Rinke M.
76 - 100 из 135 результатов << < 1 2 3 4 5 6 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».