Microcrystalline, Nanocrystalline, Porous, and Composite Semiconductors

Выпуск Название Файл
Том 51, № 9 (2017) High-temperature annealing of macroporous silicon in an inert-gas flow PDF
(Eng)
Astrova E., Preobrazhenskiy N., Pavlov S., Voronkov V.
Том 51, № 9 (2017) Characteristic properties of macroporous silicon sintering in an argon atmosphere PDF
(Eng)
Astrova E., Preobrazhenskiy N., Pavlov S., Voronkov V.
Том 51, № 8 (2017) Effect of electrolyte temperature on the cathodic deposition of Ge nanowires on in and Sn particles in aqueous solutions PDF
(Eng)
Gavrilin I., Gromov D., Dronov A., Dubkov S., Volkov R., Trifonov A., Borgardt N., Gavrilov S.
Том 51, № 6 (2017) Ab initio study of the electronic and vibrational structures of tetragonal cadmium diarsenide PDF
(Eng)
Basalaev Y., Kopytov A., Poplavnoi A., Polygalov Y.
Том 51, № 5 (2017) On the photoconductivity of TlInSe2 PDF
(Eng)
Ismailov N., Abilov C., Gasanova M.
Том 51, № 4 (2017) Specific features of ZnCdS nanoparticles synthesized in different solvents PDF
(Eng)
Kyazym-zade A., Jafarov M., Nasirov E., Jahangirova C., Jafarli R.
Том 51, № 4 (2017) Anodic processes in the chemical and electrochemical etching of Si crystals in acid-fluoride solutions: Pore formation mechanism PDF
(Eng)
Ulin V., Ulin N., Soldatenkov F.
Том 51, № 4 (2017) Ab initio calculations of the electron spectrum and density of states of TlFeS2 and TlFeSe2 crystals PDF
(Eng)
Ismayilova N., Orudjev H., Jabarov S.
Том 51, № 4 (2017) Sensitivity of energy-packed compounds based on superfine and nanoporous silicon to pulsed electrical treatments PDF
(Eng)
Zegrya G., Savenkov G., Morozov V., Zegrya A., Ulin N., Ulin V., Lukin A., Bragin V., Oskin I., Mikhailov Y.
Том 51, № 4 (2017) Effect of gamma irradiation on the photoluminescence of porous silicon PDF
(Eng)
Elistratova M., Romanov N., Goryachev D., Zakharova I., Sreseli O.
Том 51, № 2 (2017) Structural studies of ZnS:Cu (5 at %) nanocomposites in porous Al2O3 of different thicknesses PDF
(Eng)
Valeev R., Trigub A., Chukavin A., Beltiukov A.
Том 51, № 1 (2017) Fabrication of oxide heterostructures for promising solar cells of a new generation PDF
(Eng)
Bobkov A., Lashkova N., Maximov A., Moshnikov V., Nalimova S.
Том 51, № 1 (2017) Formation and properties of the buried isolating silicon-dioxide layer in double-layer “porous silicon-on-insulator” structures PDF
(Eng)
Ivlev K., Roslikov V., Bolotov V., Knyazev E., Ponomareva I., Kan V., Davletkildeev N.
Том 51, № 1 (2017) Study of the parameters of nanoscale layers in nanoheterostructures based on II–VI semiconductor compounds PDF
(Eng)
Karavaev M., Kirilenko D., Ivanova E., Popova T., Sitnikova A., Sedova I., Zamoryanskaya M.
Том 50, № 9 (2016) Laser sintering of a TiO2 nanoporous film on a flexible substrate for application in solar cells PDF
(Eng)
Malyukov S., Sayenko A., Kirichenko I.
Том 50, № 9 (2016) Dielectric properties of layered FeGaInS4 single crystals in an alternating electric field PDF
(Eng)
Mammadov F., Niftiyev N.
Том 50, № 9 (2016) Terahertz response of DNA oligonucleotides on the surface of silicon nanostructures PDF
(Eng)
Bagraev N., Chernev A., Klyachkin L., Malyarenko A., Emel’yanov A., Dubina M.
Том 50, № 8 (2016) Effect of uniaxial deformation on the current–voltage characteristic of a p-Ge/n-GaAs heterostructure PDF
(Eng)
Gadzhialiev M., Pirmagomedov Z., Efendieva T.
Том 50, № 7 (2016) Nonlinear optical response of planar and spherical CdSe nanocrystals PDF
(Eng)
Selyukov A., Isaev A., Vitukhnovsky A., Litvak V., Katsaba A., Korshunov V., Vasiliev R.
Том 50, № 6 (2016) Inter atomic force constants of binary and ternary tetrahedral semiconductors PDF
(Eng)
Pal S., Tiwari R., Gupta D., Saraswat V., Verma A.
Том 50, № 4 (2016) Polytype inclusions and polytype stability in silicon-carbide crystals PDF
(Eng)
Avrov D., Lebedev A., Tairov Y.
Том 50, № 3 (2016) On Controlling the Hydrophobicity of Nanostructured Zinc-Oxide Layers Grown by Pulsed Electrodeposition PDF
(Eng)
Klochko N., Klepikova K., Kopach V., Khrypunov G., Myagchenko Y., Melnychuk E., Lyubov V., Kopach A.
Том 50, № 3 (2016) Photoluminescence and Confinement of Excitons in Disordered Porous Films PDF
(Eng)
Bondar N., Brodin M., Brodin A., Matveevskaya N.
Том 50, № 3 (2016) Influence of the Surface Layer on the Electrochemical Deposition of Metals and Semiconductors into Mesoporous Silicon PDF
(Eng)
Chubenko E., Redko S., Sherstnyov A., Petrovich V., Kotov D., Bondarenko V.
Том 50, № 1 (2016) Polarized photoluminescence of nc-Si–SiOx nanostructures PDF
(Eng)
Michailovska E., Indutnyi I., Shepeliavyi P., Sopinskii N.
51 - 75 из 75 результатов << < 1 2 3 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».