Xxii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 12–15, 2018

Выпуск Название Файл
Том 52, № 11 (2018) Spinodal Decomposition in InSb/AlAs Heterostructures PDF
(Eng)
Abramkin D., Bakarov A., Gutakovskii A., Shamirzaev T.
Том 52, № 11 (2018) Plasma Chemical Etching of Gallium Arsenide in C2F5Cl-Based Inductively Coupled Plasma PDF
(Eng)
Okhapkin A., Yunin P., Drozdov M., Kraev S., Skorokhodov E., Shashkin V.
Том 52, № 11 (2018) The Effect of the Composition of a Carrier Gas during the Growth of a Mn delta-Layer on the Electrical and Magnetic Properties of GaAs Structures PDF
(Eng)
Kalentyeva I., Vikhrova O., Danilov Y., Zvonkov B., Kudrin A., Antonov I.
Том 52, № 11 (2018) Development of a Physical-Topological Model for the Response of a High-Power Vertical DMOS Transistor to the Effect of Pulsed Gamma-Radiation PDF
(Eng)
Khananova A., Obolensky S.
Том 52, № 11 (2018) “Extremum Loop” Model for the Valence-Band Spectrum of a HgTe/HgCdTe Quantum Well with an Inverted Band Structure in the Semimetallic Phase PDF
(Eng)
Gudina S., Bogolyubskii A., Neverov V., Shelushinina N., Yakunin M.
Том 52, № 11 (2018) Heterostructures with InAs/AlAs Quantum Wells and Quantum Dots Grown on GaAs/Si Hybrid Substrates PDF
(Eng)
Abramkin D., Petrushkov M., Putyato M., Semyagin B., Shamirzaev T.
Том 52, № 11 (2018) Application of the Locally Nonequilibrium Diffusion-Drift Cattaneo–Vernotte Model to the Calculation of Photocurrent Relaxation in Diode Structures under Subpicosecond Pulses of Ionizing Radiation PDF
(Eng)
Puzanov A., Obolenskiy S., Kozlov V.
Том 52, № 11 (2018) Verification of the Hypothesis on the Thermoelastic Nature of Deformation of a (0001)GaN Layer Grown on the Sapphire a-Cut PDF
(Eng)
Drozdov Y., Khrikin O., Yunin P.
Том 52, № 11 (2018) Investigation of the Anisotropy of the Structural Properties of GaN(0001) Layers Grown by MOVPE on a-Plane (11\(\bar {2}\)0) Sapphire PDF
(Eng)
Yunin P., Drozdov Y., Khrykin O., Grigoryev V.
Том 52, № 11 (2018) Stimulated Emission in the 1.3–1.5 μm Spectral Range from AlGaInAs Quantum Wells in Hybrid Light-Emitting III–V Heterostructures on Silicon Substrates PDF
(Eng)
Kudryatvsev K., Dubinov A., Aleshkin V., Yurasov D., Gorlachuk P., Ryaboshtan Y., Marmalyuk A., Novikov A., Krasilnik Z.
Том 52, № 11 (2018) Phosphorus-Based Nanowires Grown by Molecular-Beam Epitaxy on Silicon PDF
(Eng)
Cirlin G., Reznik R., Samsonenko Y., Khrebtov A., Kotlyar K., Ilkiv I., Soshnikov I., Kirilenko D., Kryzhanovskaya N.
Том 52, № 11 (2018) Multiphonon Intracenter Relaxation of Boron Acceptor States in Diamond PDF
(Eng)
Bekin N.
Том 52, № 11 (2018) Experimental Study of Spontaneous-Emission Enhancement in Tamm Plasmon Structures with an Organic Active Region PDF
(Eng)
Morozov K., Ivanov K., Selenin N., Mikhrin S., de Sa Pereira D., Menelaou C., Monkman A., Kaliteevski M.
Том 52, № 11 (2018) Modification of the Ferromagnetic Properties of Si1 –xMnx Thin Films Synthesized by Pulsed Laser Deposition with a Variation in the Buffer-Gas Pressure PDF
(Eng)
Novodvorsky O., Mikhalevsky V., Gusev D., Lotin A., Parshina L., Khramova O., Cherebylo E., Drovosekov A., Rylkov V., Nikolaev S., Chernoglazov K., Maslakov K.
Том 52, № 11 (2018) MBE Growth and Structural Properties of GaP and InP Nanowires on a SiC Substrate with a Graphene Layer PDF
(Eng)
Alexeev P., Cirlin G., Reznik R., Kotlyar K., Ilkiv I., Soshnikov I., Lebedev S., Lebedev A., Kirilenko D.
Том 52, № 11 (2018) Study of the Structural and Morphological Properties of HPHT Diamond Substrates PDF
(Eng)
Yunin P., Volkov P., Drozdov Y., Koliadin A., Korolev S., Radischev D., Surovegina E., Shashkin V.
Том 52, № 11 (2018) Spectroscopy of Single AlInAs and (111)-Oriented InGaAs Quantum Dots PDF
(Eng)
Derebezov I., Gaisler V., Gaisler A., Dmitriev D., Toropov A., von Helversen M., de la Haye C., Bounouar S., Reitzenstein S.
26 - 42 из 42 результатов << < 1 2 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».