Electronic Properties of Semiconductors

Выпуск Название Файл
Том 53, № 1 (2019) Influence of a Quantum Magnetic Field on the Heating of Charge Carriers in Pure Germanium PDF
(Eng)
Bannaya V., Nikitina E.
Том 52, № 13 (2018) Features of the Electron Mobility in the n-InSe Layered Semiconductor PDF
(Eng)
Abdinov A., Babayeva R.
Том 52, № 13 (2018) Measurement of the Charge-Carrier Mobility in Gallium Arsenide Using a Near-Field Microwave Microscope by the Microwave-Magnetoresistance Method PDF
(Eng)
Usanov D., Postelga A., Kalyamin A., Sharov I.
Том 52, № 13 (2018) Conduction-Electron Spin Resonance in HgSe Crystals PDF
(Eng)
Veinger A., Kochman I., Okulov V., Andriichuk M., Paranchich L.
Том 52, № 13 (2018) Interaction Rates of Group-III and Group-V Impurities with Intrinsic Point Defects in Irradiated Si and Ge PDF
(Eng)
Emtsev V., Abrosimov N., Kozlovski V., Poloskin D., Oganesyan G.
Том 52, № 10 (2018) Superionic Conductivity of (TlGaSe2)1 – x(TlInS2)x Solid Solutions PDF
(Eng)
Sardarli R., Abdullayev A., Aliyeva N., Salmanov F., Yusifov M., Orudjeva A.
Том 52, № 8 (2018) Microwave Magnetoabsorption Oscillations in Fe-Doped HgSe Crystals PDF
(Eng)
Veinger A., Kochman I., Okulov V., Andriichuk M., Paranchich L.
Том 52, № 8 (2018) Electronic Processes in CdIn2Te4 Crystals PDF
(Eng)
Grushka O., Chupyra S., Bilichuk S., Parfenyuk O.
Том 52, № 8 (2018) Optical Absorption of Copper-Activated Zinc-Sulfide Polycrystalline Layers PDF
(Eng)
Avanesyan V., Rakina A., Kablukova N.
Том 52, № 7 (2018) Kinetics of the Variation in the Magnetic Impurity Ion Concentration in Pb1–x–ySnxVyTe Alloys upon Doping PDF
(Eng)
Skipetrov E., Konstantinov N., Skipetrova L., Knotko A., Slynko V.
Том 52, № 7 (2018) Radiative Recombination, Carrier Capture at Traps, and Photocurrent Relaxation in PbSnTe:In with a Composition Close to Band Inversion PDF
(Eng)
Ishchenko D., Neizvestny I.
Том 52, № 7 (2018) Photothreshold of an α-GeS Layered Crystal: First-Principles Calculation PDF
(Eng)
Jahangirli Z., Hashimzade F., Huseynova D., Mehdiyev B., Mustafaev N.
Том 52, № 6 (2018) AC Electrical Conductivity of FeIn2Se4 Single Crystals PDF
(Eng)
Niftiyev N., Mammadov F., Quseynov V., Kurbanov S.
Том 52, № 6 (2018) Contribution of Iron Clusters to the Magnetic Properties of Pb1 – yFeyTe Alloys PDF
(Eng)
Skipetrov E., Solovev A., Slynko V.
Том 52, № 6 (2018) Quasi-Classical Model of the Static Electrical Conductivity of Heavily Doped Degenerate Semiconductors at Low Temperatures PDF
(Eng)
Poklonski N., Vyrko S., Dzeraviaha A.
Том 52, № 6 (2018) Electrophysical Properties of p-Type Undoped and Arsenic-Doped Hg1 – xCdxTe Epitaxial Layers with x ≈ 0.4 Grown by the MOCVD Method PDF
(Eng)
Evstigneev V., Varavin V., Chilyasov A., Remesnik V., Moiseev A., Stepanov B.
Том 52, № 6 (2018) On the Structure of the Mössbauer Spectra of 119mSn Impurity Atoms in Lead Chalcogenides under Conditions of the Radioactive Equilibrium of 119mTe/119Sb Isotopes PDF
(Eng)
Terukov E., Marchenko A., Seregin P., Zhukov N.
Том 52, № 3 (2018) Isoelectronic Oxygen Centers and Conductivity of CdS Crystals Compared with PbS Crystals PDF
(Eng)
Morozova N., Miroshnikov B.
Том 52, № 3 (2018) Electronic Structure of Four-Element Clathrates of the Ba–Zn–Si–Ge System PDF
(Eng)
Borshch N., Kurganskii S.
Том 52, № 3 (2018) Optical Transitions in ZnSe and CdTe Crystals with Involvement of the Cation d Bands PDF
(Eng)
Sobolev V., Perevoshchikov D.
Том 52, № 3 (2018) Mechanism of the Generation of Donor–Acceptor Pairs in Heavily Doped n-ZrNiSn with the Ga Acceptor Impurity PDF
(Eng)
Romaka V., Rogl P., Frushart D., Kaczorowski D.
Том 52, № 3 (2018) Deep Radiation-Induced Defect Centers Created by a Fast Neutron Flux in CdZnTe Single Crystals PDF
(Eng)
Plyatsko S., Rashkovetskyi L.
Том 52, № 3 (2018) Formation of Radiation Defects by Proton Braking in Lightly Doped n- and p-SiC Layers PDF
(Eng)
Kozlovski V., Vasil’ev A., Karaseov P., Lebedev A.
Том 52, № 3 (2018) Electrical Breakdown in Pure n- and p-Si PDF
(Eng)
Bannaya V., Nikitina E.
Том 52, № 2 (2018) Conductivity of Ga2O3–GaAs Heterojunctions PDF
(Eng)
Kalygina V., Remizova I., Tolbanov O.
26 - 50 из 123 результатов << < 1 2 3 4 5 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».