Том 54, № 5 (2025)

Представлены результаты комплексных исследований температурной зависимости электрического сопротивления тонких магнетронных пленок Al от их структурных характеристик: морфологии, шероховатости поверхности, микроструктуры и плотности. С целью установления фундаментальной связи удельного сопротивления со структурными особенностями пленок они осаждались на стандартные подложки Si(111) в режиме двухстадийного роста с формированием гомобуферных слоев в температурном диапазоне от 293 до 800 К. Структурная характеризация образцов была выполнена методами сканирующей силовой и электронной микроскопии, рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии. Показано, что величину и температурную зависимость удельного сопротивления пленок алюминия можно изменять за счет варьирования условий роста гомобуферного слоя, позволяющего осаждать пленки с различным профилем плотности по толщине. Установлено, что магнетронная 120 нм пленка алюминия на 700 К гомобуферном слое с постоянной плотностью 2.66 г/см ³ имеет удельное сопротивление ρ _RT = 2.69 мкОм  см и Т _с = 1.22 К. Пленки Al с переменной плотностью имели остаточное сопротивление  30 мкОм  см. Основной вклад в сопротивление таких пленок дают межзеренные области с меньшей плотностью, что надежно фиксируется методом рентгеновской рефлектометрии.

Проведено модельное исследование состава нейтральной компоненты плазмы в смесях CHF ₃ + O ₂ , CHF ₃ + СO и CHF ₃ + СO ₂ в условиях индукционного 13.56 МГц разряда, возбуждаемого при постоянном давлении (6 мтор) и вкладываемой мощности (700 Вт). Показано, что влияние добавок CO и CO ₂ существенно отличается от «классического» эффекта кислорода, сопровождающегося резким увеличением химической активности и снижением полимеризационной способности плазмы. Достоверность полученных данных подтверждена удовлетворительным согласием расчетных концентраций атомов фтора с результатами актинометрического эксперимента.