Исследование полупроводникового дискового лазера, излучающего на длине волны 780 нм, на основе гетероструктуры с квантовыми ямами AlxGa1 – xAs/AlyGa1 – yAs при оптической накачке с различной длиной волны излучения
- Authors: Козловский В.И.1, Женишбеков С.М.1, Скасырский Я.К.1, Фролов М.П.1, Андреев А.Ю.2, Яроцкая И.В.2, Мармалюк А.А.2
-
Affiliations:
- Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН
- Научно-исследовательский институт «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха
- Issue: Vol 53, No 8 (2023)
- Pages: 636-640
- Section: Lasers
- URL: https://ogarev-online.ru/0368-7147/article/view/255538
- ID: 255538
Cite item
Abstract
A semiconductor disk laser (SDL) based on the AlxGa1 – x As/AlyGa1 – y As heterostructure emitting at a wavelength near 780 nm was investigated under pumping by a pulsed dye laser with emission wavelengths of 601 and 656 nm. A structure with a built-in Bragg mirror and 10 quantum wells (QW) arranged in depth with a period equal to half the laser emission wavelength in the structure was used. Under pumping with l = 601 nm, a power of 9.3 W was achieved at a wavelength of 782 nm with a differential efficiency of 12%. Under pumping with l = 656 nm, the differential efficiency remained virtually unchanged, although the pump absorption in depth was more uniform. These results are compared with those obtained previously with laser pumping at 450 and 532 nm wavelengths, as well as with electron beam pumping. It is concluded that the distribution of nonequilibrium carriers over the QW is largely determined by their diffusion length, which in this structure is approximately 1 μm.
About the authors
В. И. Козловский
Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН
Author for correspondence.
Email: kozlovskiyvi@lebedev.ru
Russian Federation, Москва, Ленинский просп., 53, 119991
С. М. Женишбеков
Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН
Email: kozlovskiyvi@lebedev.ru
Russian Federation, Москва, Ленинский просп., 53, 119991
Я. К. Скасырский
Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН
Email: kozlovskiyvi@lebedev.ru
Russian Federation, Москва, Ленинский просп., 53, 119991
М. П. Фролов
Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН
Email: kozlovskiyvi@lebedev.ru
Russian Federation, Москва, Ленинский просп., 53, 119991
А. Ю. Андреев
Научно-исследовательский институт «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха
Email: kozlovskiyvi@lebedev.ru
Russian Federation, Москва, ул. Введенского д. 3, корп.1, 117342
И. В. Яроцкая
Научно-исследовательский институт «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха
Email: kozlovskiyvi@lebedev.ru
Russian Federation, Москва, ул. Введенского д. 3, корп.1, 117342
А. А. Мармалюк
Научно-исследовательский институт «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха
Email: kozlovskiyvi@lebedev.ru
Russian Federation, Москва, ул. Введенского д. 3, корп.1, 117342
References
- Jetter M., Michler P. Vertical External Cavity Surface Emitting Lasers: VECSEL Technology and Applications (Wiley, 2021).
- Hastie J.E., Calvez S., Dawson M.D., in Semiconductor lasers (Woodhead Publishing Limited, 2013, p. 341).
- Baumgärtner S., Kahle H., Bek R., Schwarzbäck T., Jetter M., Michler P. J. Crystal Growth, 414, 219 (2015).
- Sirbu A., Volet N., Mereuta A., Lyytikainen J., Rautiainen J., Okhotnikov O., Walczak J., Wasiak M., Czyszanowski T., Caliman A., Zhu Q., Iakovlev V., Kapon E. Advances in Optical Technologies, 2011, 209093 (2011).
- Бутаев М.Р., Скасырский Я.К., Козловский В.И., Андреев А.Ю., Яроцкая И.В., Мармалюк А.А. Квантовая электроника, 52 (4), 362 (2022) [Quantum Electron., 52 (4), 362 (2022)].
- Kahle H., Penttinen J.-P., Phung H.-M., Rajala P., Tukiainen A., Ranta S., Guina M. Opt. Lett., 44 (5), 1146 (2019).
- Aspnes D.E., Kelso S.M., Logan R.A., Bhat R. J. Appl. Phys., 60, 754 (1986).
- Wittryand D.B., Kyser D.F. J. Appl. Phys., 38, 375 (1967).
Supplementary files
