Исследование полупроводникового дискового лазера, излучающего на длине волны 780 нм, на основе гетероструктуры с квантовыми ямами AlxGa1 – xAs/AlyGa1 – yAs при оптической накачке с различной длиной волны излучения
- 作者: Козловский В.И.1, Женишбеков С.М.1, Скасырский Я.К.1, Фролов М.П.1, Андреев А.Ю.2, Яроцкая И.В.2, Мармалюк А.А.2
-
隶属关系:
- Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН
- Научно-исследовательский институт «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха
- 期: 卷 53, 编号 8 (2023)
- 页面: 636-640
- 栏目: Lasers
- URL: https://ogarev-online.ru/0368-7147/article/view/255538
- ID: 255538
如何引用文章
详细
A semiconductor disk laser (SDL) based on the AlxGa1 – x As/AlyGa1 – y As heterostructure emitting at a wavelength near 780 nm was investigated under pumping by a pulsed dye laser with emission wavelengths of 601 and 656 nm. A structure with a built-in Bragg mirror and 10 quantum wells (QW) arranged in depth with a period equal to half the laser emission wavelength in the structure was used. Under pumping with l = 601 nm, a power of 9.3 W was achieved at a wavelength of 782 nm with a differential efficiency of 12%. Under pumping with l = 656 nm, the differential efficiency remained virtually unchanged, although the pump absorption in depth was more uniform. These results are compared with those obtained previously with laser pumping at 450 and 532 nm wavelengths, as well as with electron beam pumping. It is concluded that the distribution of nonequilibrium carriers over the QW is largely determined by their diffusion length, which in this structure is approximately 1 μm.
作者简介
В. Козловский
Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН
编辑信件的主要联系方式.
Email: kozlovskiyvi@lebedev.ru
俄罗斯联邦, Москва, Ленинский просп., 53, 119991
С. Женишбеков
Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН
Email: kozlovskiyvi@lebedev.ru
俄罗斯联邦, Москва, Ленинский просп., 53, 119991
Я. Скасырский
Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН
Email: kozlovskiyvi@lebedev.ru
俄罗斯联邦, Москва, Ленинский просп., 53, 119991
М. Фролов
Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН
Email: kozlovskiyvi@lebedev.ru
俄罗斯联邦, Москва, Ленинский просп., 53, 119991
А. Андреев
Научно-исследовательский институт «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха
Email: kozlovskiyvi@lebedev.ru
俄罗斯联邦, Москва, ул. Введенского д. 3, корп.1, 117342
И. Яроцкая
Научно-исследовательский институт «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха
Email: kozlovskiyvi@lebedev.ru
俄罗斯联邦, Москва, ул. Введенского д. 3, корп.1, 117342
А. Мармалюк
Научно-исследовательский институт «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха
Email: kozlovskiyvi@lebedev.ru
俄罗斯联邦, Москва, ул. Введенского д. 3, корп.1, 117342
参考
- Jetter M., Michler P. Vertical External Cavity Surface Emitting Lasers: VECSEL Technology and Applications (Wiley, 2021).
- Hastie J.E., Calvez S., Dawson M.D., in Semiconductor lasers (Woodhead Publishing Limited, 2013, p. 341).
- Baumgärtner S., Kahle H., Bek R., Schwarzbäck T., Jetter M., Michler P. J. Crystal Growth, 414, 219 (2015).
- Sirbu A., Volet N., Mereuta A., Lyytikainen J., Rautiainen J., Okhotnikov O., Walczak J., Wasiak M., Czyszanowski T., Caliman A., Zhu Q., Iakovlev V., Kapon E. Advances in Optical Technologies, 2011, 209093 (2011).
- Бутаев М.Р., Скасырский Я.К., Козловский В.И., Андреев А.Ю., Яроцкая И.В., Мармалюк А.А. Квантовая электроника, 52 (4), 362 (2022) [Quantum Electron., 52 (4), 362 (2022)].
- Kahle H., Penttinen J.-P., Phung H.-M., Rajala P., Tukiainen A., Ranta S., Guina M. Opt. Lett., 44 (5), 1146 (2019).
- Aspnes D.E., Kelso S.M., Logan R.A., Bhat R. J. Appl. Phys., 60, 754 (1986).
- Wittryand D.B., Kyser D.F. J. Appl. Phys., 38, 375 (1967).
补充文件
