Мақаланы E-mail арқылы жіберу Absorption spectra of some radiation-doped A3B5 compounds
- Авторлар: Rashidova S.S.1
-
Мекемелер:
- Institute of Physics of National Academy of Science of Azerbaijan
- Шығарылым: Том 121, № 5 (2016)
- Беттер: 710-712
- Бөлім: Condensed-Matter Spectroscopy
- URL: https://ogarev-online.ru/0030-400X/article/view/165113
- DOI: https://doi.org/10.1134/S0030400X16110175
- ID: 165113
Дәйексөз келтіру
Ашық рұқсат
Рұқсат берілді
Тек жазылушылар үшін
Аннотация
Temperature dependences of the absorption coefficient in A3B5 crystals before and after irradiation by electrons with an energy of 6 MeV and a dose of Ф = 2 × 1017 electron/cm2 are studied. A low-lying Ev + 0.4 eV center of a nonimpurity origin is found in both undoped GaAs crystals and those doped with various impurities (Te, Zn, Sn, Ga1–xInxAs, InP, and InP〈Fe〉).
Авторлар туралы
Sh. Rashidova
Institute of Physics of National Academy of Science of Azerbaijan
Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: sh.sh.rashidova@gmail.com
Әзірбайжан, Baku, 1143
Қосымша файлдар
