Отправить статью по E-mail A device for heating a substrate during molecular beam epitaxy
- Авторы: Shengurov V.G.1,2, Denisov S.A.1,2, Svetlov S.P.1, Chalkov V.Y.1, Shengurov D.V.1,2
-
Учреждения:
- Lobachevskii State University
- Institute of Microstructure Physics
- Выпуск: Том 59, № 2 (2016)
- Страницы: 317-320
- Раздел: Laboratory Techniques
- URL: https://ogarev-online.ru/0020-4412/article/view/158999
- DOI: https://doi.org/10.1134/S0020441216020135
- ID: 158999
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
A device for uniform heating of both optically opaque silicon and transparent sapphire large-area substrates (with a diameter of up to 100 mm) in vacuum to high temperatures of 1250–1450°C is described. Using the device, it is possible to carefully prepare silicon and sapphire substrates in situ for growing Si and SiGe epitaxial layers by molecular beam epitaxy method.
Об авторах
V. Shengurov
Lobachevskii State University; Institute of Microstructure Physics
Автор, ответственный за переписку.
Email: shengurov@phys.unn.ru
Россия, pr. Gagarina 23, Nizhny Novgorod, 603950; ul. Akademicheskaya 7, Afonino, Kstovo raion, Nizhny Novgorod oblast, 607680
S. Denisov
Lobachevskii State University; Institute of Microstructure Physics
Email: shengurov@phys.unn.ru
Россия, pr. Gagarina 23, Nizhny Novgorod, 603950; ul. Akademicheskaya 7, Afonino, Kstovo raion, Nizhny Novgorod oblast, 607680
S. Svetlov
Lobachevskii State University
Email: shengurov@phys.unn.ru
Россия, pr. Gagarina 23, Nizhny Novgorod, 603950
V. Chalkov
Lobachevskii State University
Email: shengurov@phys.unn.ru
Россия, pr. Gagarina 23, Nizhny Novgorod, 603950
D. Shengurov
Lobachevskii State University; Institute of Microstructure Physics
Email: shengurov@phys.unn.ru
Россия, pr. Gagarina 23, Nizhny Novgorod, 603950; ul. Akademicheskaya 7, Afonino, Kstovo raion, Nizhny Novgorod oblast, 607680
Дополнительные файлы
