The influence of the substrate temperature change character during the growth on the topology of the Ge/Si(100) film surface

L S Lunin; Лунин Л С; M D Bavizhev; Бавижев М Д; I A Sysoev; Сысоев И А; V A Lapin; Лапин В А; D S Kuleshov; Кулешов Д С; F F Malyavin; Малявин Ф Ф

Влияние характера изменения температуры подложки в процессе роста на топологию поверхности пленки Ge/Si(100)

Авторы: Лунин ЛС¹, Бавижев МД¹, Сысоев ИА¹, Лапин ВА¹, Кулешов ДС¹, Малявин ФФ¹
Учреждения:
1. Южный научный центр РАН
Выпуск: № 3 (2012)
Страницы: 98-103
Раздел: Статьи
URL: https://ogarev-online.ru/2312-8143/article/view/335685
ID: 335685

Цитировать

Полный текст

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Исследована возможность снижения шероховатости пленки Ge/Si (100) за счет использования низкотемпературного слоя германия (LT-Ge). Было показано, что характер изменения температуры подложки в процессе роста влияет на топологию поверхности выращенной пленки Ge/LT-Ge/Si. Образцы были получены методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

Ключевые слова

молекулярно-лучевая эпитаксия, германий, низкотемпературный слой, атомно-силовая микроскопия

Дополнительные файлы

Доп. файлы

Действие

1. JATS XML

Скачать

Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня

Забыли пароль?	Регистрация

Имя пользователя
Пароль
Запомнить меня

Забыли пароль?	Регистрация

Влияние характера изменения температуры подложки в процессе роста на топологию поверхности пленки Ge/Si(100)

Полный текст

Аннотация

Ключевые слова

Об авторах

Л С Лунин

М Д Бавижев

И А Сысоев

В А Лапин

Д С Кулешов

Ф Ф Малявин

Дополнительные файлы