ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ СХЕМА ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ПАРАМЕТРОВ МДП-СТРУКТУРЫ
- Авторы: Чайковский В.М.1
-
Учреждения:
- Пензенский государственный университет
- Выпуск: № 2 (2025)
- Страницы: 68-73
- Раздел: ПРИБОРЫ И МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЙ
- URL: https://ogarev-online.ru/2307-5538/article/view/296504
- DOI: https://doi.org/10.21685/2307-5538-2025-2-8
- ID: 296504
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Актуальность и цели. Информативность процесса измерения параметров МДП-структуры в максимальной степени определяется конфигурацией системы измерения, осуществляющей преобразование параметров МДП-структуры, как пассивного объекта в активные величины. Материалы и методы. Предлагается построение измерительной схемы из двух последовательно соединенных операционных усилителей, охваченных общей обратной связью по переменному току. Конфигурация измерительной схемы обосновывается методом инвариантного преобразования и с помощью основ теории усилителя постоянного тока, с использованием преобразования Лапласа. Результаты. Проведенный сравнительный анализ передаточной функции измерительной схемы с различным характером сопротивления, соединяющего операционные усилители измерительной схемы, позволил выбрать характер данного сопротивления. В результате чего характер всех сопротивлений в составе измерительной схемы приобрел окончательный вид. Выводы. Использование измерительной схемы с рассматриваемой структурой построения в составе измерительного устройства, предназначенного для оценки значения параметров МДП-структур, особенно в отработке технологии процесса их изготовления, позволит увеличить процент выхода годных раз- личных компонентов, выпускаемых на их основе.
Об авторах
Виктор Михайлович Чайковский
Пензенский государственный университет
Автор, ответственный за переписку.
Email: radiolokaci@yandex.ru
кандидат технических наук, доцент, доцент кафедры
радиотехники и радиоэлектронных систем
Список литературы
- Свистунова Т. В. Основы микроэлектроники : учеб. пособие. Воронеж : ВГТУ, 2017. 149 с.
- Белоус А. И., Солодуха В. А., Шведов С. В. Космическая электроника : в 2 кн. М. : Техносфера, 2015. Кн. 2. 488 с.
- Мартяшин А. И., Шахов Э. К., Шляндин В. М. Преобразователи электрических параметров для систем контроля и измерения. М. : Энергия, 1976. 392 с.
- Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов / пер. с англ. под ред. Р. А. Суриса : в 2 кн. М. : Мир, 1984. Кн. 1. 456 с.
- Гуртов В. А. Твердотельная электроника : учеб. пособие. М., 2005. 492 с.
- Лукьянов Г. Н., Белякова И. И., Балобей Ф. П. Операционные усилители : учеб. пособие. СПб. : НИУ ИТМО, 2012. 78 с.
- Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника : пер. с нем. 12-е изд. М. : ДМК Пресс, 2008. Т. 1. 832 с.
- Картер Б. Операционные усилители для всех / пер. с англ. А. Н. Рабодзея. 2-е изд. М. : ДМК Пресс, 2023. 529 с.
- Осадченко В. Х., Волкова Я. Ю. Операционные усилители : учеб. пособие. Екатеринбург : Изд-во Урал. ун-та, 2020. 156 с.
- Ташлинцев Д. А., Чайковский В. М. Измерение зарядовой нестабильности МДП-структуры // Измерения. Мониторинг. Управление. Контроль. 2024. № 3. С. 17–24.
Дополнительные файлы
