Исследование методов анизотропного плазмохимического травления low-k слоев с защитой пористой структуры материала

Обложка

Цитировать

Полный текст

Аннотация

В статье обобщаются результаты исследования процессов криогенного плазменного травления диэлектриков с ультранизкой диэлектрической проницаемостью для применения в системах металлизации интегральных схем с проектной нормой менее 10 нм. Рассмотрены механизмы деградации пленок в процессе плазменного травления и исследуется подход, основанный на адсорбции в порах сконденсированного плазмообразующего газа. Приведены экспериментальные результаты, касающиеся разработки и применения методов контроля заполнения пор пленки in situ. Приведены результаты исследования параметров плазмы бромсодержащих газов (CF3Br и C2F4Br2) и характера деградации химического состава пленок после травления. Для сравнения эти же характеристики приведены для применявшейся ранее плазмы CF4.

Об авторах

Андрей Валерьевич Мяконьких

Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: miakonkikh@ftian.ru
Россия, 117218, Россия, Москва, Нахимовский проспект, 34

Рафаэль Алексеевич Гайдукасов

Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН

Email: gaydukasov.r@gmail.com
Россия, 117218, Россия, Москва, Нахимовский проспект, 34

Виталий Олегович Кузьменко

Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН

Email: kuzmenko@ftian.ru
Россия, 117218, Россия, Москва, Нахимовский проспект, 34

Список литературы

  1. W. Volksen, R.D. Miller, G. Dubois Chem. Rev., 2010, 110(1), 56. doi: 10.1021/cr9002819.
  2. D. Shamiryan, M.R. Baklanov, S. Vanhaelemeersch, K. Maex J. Vac. Sci. Technol. B, 2002, 20(5), 1923. doi: 10.1116/1.1502699.
  3. A. Rezvanov, A.V. Miakonkikh, A.S. Vishnevskiy, K.V. Rudenko, M.R. Baklanov J. Vac. Sci. Technol. B, 2017, 35(2), 021204. doi: 10.1116/1.4975646.
  4. A. Zotovich, A. Rezvanov, R. Chanson, L. Zhang, N. Hacker, K. Kurchikov, S. Klimin, S.M. Zyryanov, D. Lopaev, E. Gornev, I. Clemente, A. Miakonkikh, K. Maslakov J. Phys. D, 2018, 51(32), 325202. doi: 10.1088/1361-6463/aad06d.
  5. A.A. Rezvanov, A.V. Miakonkikh, D.S. Seregin, A.S. Vishnevskiy, K.A. Vorotilov, K.V. Rudenko, M.R. Baklanov J. Vac. Sci. Technol. A, 2020, 38(3), 033005. doi: 10.1116/1.5143417.
  6. A. Miakonkikh, V. Kuzmenko, A. Efremov, K. Rudenko Vacuum, 2022, 200(5), 110991. doi: 10.1016/j.vacuum.2022.110991.
  7. H.G. Tompkins A User's Guide to Ellipsometry, USA, NY, New York, Academic Press, 1993, 260 pp. doi: 10.1016/C2009-0-22336-1.
  8. V. Rouessac, A. Lee, F. Bosc, J. Durand, A. Ayral Micropor. Mesopor. Mater., 2008, 111(1–3), 417. doi: 10.1016/j.micromeso.2007.08.033.
  9. T. Li, A.J. Senesi, B. Lee Chem. Rev., 2016, 116(18), 11128. doi: 10.1021/acs.chemrev.5b00690.
  10. D.W. Gidley, H.-G. Peng, R.S. Vallery Annu. Rev. Mater. Res., 2006, 36(1), 49. doi: 10.1146/annurev.matsci.36.111904.135144.
  11. А.А. Орлов, А.А. Резванов, А.В. Мяконьких Nanoindustry, 2020, 96(3s), 684. doi: 10.22184/1993-8578.2020.13.3s.684.687.
  12. S. Matsuo Appl. Phys. Lett., 1980, 36(9), 768. doi: 10.1063/1.91651.
  13. M. Engelhardt, S. Schwarz J. Electrochem. Soc., 1987, 134, 1985. doi: 10.1149/1.2100803.
  14. D.L. Flamm, P.L. Cowan, J.A. Golovchenko J. Vac. Sci. Tech., 1980, 17, 1341. doi: 10.1116/1.570667.
  15. D.V. Lopaev, Yu.A. Mankelevich, T.V. Rakhimova, A.I. Zotovich, S.M. Zyryanov, M.R. Baklanov J. Phys. D: Appl. Phys., 2017, 50, 485202. doi: 10.1088/1361-6463/aa92a7.
  16. S.V. Avtaeva, D.K. Otorbaev J. Phys. D: Appl. Phys., 1993, 26, 2148. doi: 10.1088/0022-3727/26/12/009.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Мяконьких А.В., Гайдукасов Р.А., Кузьменко В.О., 2023

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).