Альтернативная технологическая схема и процессы формирования структур многоуровневой металлизации УБИС на основе рутения

Обложка

Цитировать

Полный текст

Аннотация

Тонкие пленки рутения осаждались по технологии плазменно-усиленного атомно-слоевого осаждения (PEALD) с использованием Ru(EtCp)2 и кислородной плазмы на модифицированную поверхность кремния и подложек SiO2/Si. Установлено, что механизм роста пленки существенно зависит от температуры подложки. Анализ GXRD и ВИМС показывает, что при температуре подложки T=375 °C происходит резкое изменение механизмов поверхностных реакций, что приводит к изменению состава пленки от RuO2 при низких температурах до чистой пленки Ru при более высоких температурах. Это было подтверждено измерениями удельного электросопротивления пленок на основе Ru. Наименьшая шероховатость поверхности ~1.5 нм была получена при толщине пленки 29 нм на SiO2/Si-подложке при 375 °С. Измеренное удельное сопротивление пленки Ru составляет 18–19 мкОм·см. Также рассмотрены вопросы плазмохимического травления рутения и нанесения low-k-диэлектрика центрифугированием на массивы линий.

Об авторах

Александр Евгеньевич Рогожин

Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: rogozhin@ftian.ru
Россия, 117218, Россия, Москва, Нахимовский проспект, 34

Ольга Олеговна Пермякова

Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН

Email: o.permyakova@ftian.ru
Россия, 117218, Россия, Москва, Нахимовский проспект, 34

Елизавета Алексеевна Смирнова

Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН

Email: smirnova@ftian.ru
Россия, 117218, Россия, Москва, Нахимовский проспект, 34

Андрей Александрович Ломов

Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН

Email: lomov@ftian.ru
Россия, 117218, Россия, Москва, Нахимовский проспект, 34

Сергей Геннадьевич Симакин

Ярославский филиал Физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН

Email: simser@mail.ru
Россия, 150007, Россия, Ярославль, ул. Университетская, 21

Константин Васильевич Руденко

Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН

Email: rudenko@ftian.ru
Россия, 117218, Россия, Москва, Нахимовский проспект, 34

Список литературы

  1. T. Aaltonen, P. Alén, M. Ritala, M. Leskelä Chem. Vap. Depos., 2003, 9(1), 45. doi: 10.1002/cvde.200290007.
  2. J. Lee, Y.W. Song, K. Lee, Y. Lee, H.K. Jang ECS Trans., 2006, 2(4), 1. doi: 10.1149/1.2204812.
  3. K. Kukli, J. Aarik, A. Aidla, I. Jõgi, T. Arroval, J. Lu, T. Sajavaara, M. Laitinen, A.-A. Kiisler, M. Ritala Thin Solid Films, 2012, 520, 2756. doi: 10.1016/j.tsf.2011.11.088.
  4. S. Yeo, S.-H. Choi, J.-Y. Park, S.-H. Kim, T. Cheon, B.-Y. Lim, S. Kim Thin Solid Films, 2013, 546, 2. doi: 10.1016/j.tsf.2013.03.074.
  5. M.M. Minjauw, J. Dendooven, B. Capon, M. Schaekers, C. Detavernier J. Mater. Chem. C, 2015, 3, 132. doi: 10.1039/C4TC01961J.
  6. K. Kukli, M. Kemell, E. Puukilainen, J. Aarik, A. Aidla, T. Sajavaara, M. Laitinen, M. Tallarida, J. Sundqvist, M. Ritala J. Electrochem. Soc., 2011, 158(3), 158. doi: 10.1149/1.3533387.
  7. N. Leick-Marius PhD Thesis in Applied Physics and Science Education, Technische Universiteit Eindhoven, KN, Eindhoven, 2014, 163 pp. doi: 10.6100/IR782932.
  8. J. Hämäläinen, M. Ritala, M. Leskelä Chem. Mater., 2014, 26(1), 786. doi: 10.1021/cm402221y.
  9. S.-J. Park, W.-H. Kim, H.-B.-R. Lee, W.J. Maeng, H. Kim Microelectron. Eng., 2008, 85(1), 39. doi: 10.1016/j.mee.2007.01.239.
  10. J.-Y. Kim, D.-S. Kil, J.-H. Kim, S.-H. Kwon, J.-H. Ahn, J.-S. Roh, S.-K. Park J. Electrochem. Soc., 2012, 159(6), 560. doi: 10.1149/2.069206jes.
  11. R. Müller, L. Ghazaryan, P. Schenk, S. Wolleb, V. Beladiya, F. Otto, N. Kaiser, A. Tünnermann, T. Fritz, A. Szeghalmi Coatings, 2018, 8, 413. doi: 10.3390/coatings8110413.
  12. J. Lu, J.W. Elam Chem. Mater., 2015, 27(14), 4950. doi: 10.1021/acs.chemmater.5b00818.
  13. O.-K. Kwon, J.-H. Kim, H.-S. Park, S.-W. Kang J. Electrochem. Soc., 2004, 151(2), 109. doi: 10.1149/1.1640633.
  14. A. Rogozhin, A. Miakonkikh, E. Smirnova, A. Lomov, S. Simakin, K. Rudenko Coatings, 2021, 11(2), 117. doi: 10.3390/coatings11020117.
  15. S. Paolillo, D. Wan, F. Lazzarino, N. Rassoul, D. Piumi, Z. Tokei J. Vac. Sci. Technol., 2018, B 36, 03E103-1. doi: 10.1116/1.5022283.
  16. C.C. Hsu, J.W. Coburn, D.B. Graves J. Vac. Sci. Technol. A, 2006, 24(1), 1. doi: 10.1116/1.2121751.
  17. S. Decoster, E. Camerotto, G. Murdoch, F. Lazzarino J. Vac. Sci. Technol. B: Nanotechnol. Microelectron., 2022, 40(3), 032802. doi: 10.1116/6.0001791.
  18. M. Li, B. Popere, P. Trefonas, A.T. Heitsch, R. Limary, R. Katsumata, Y. Zhang, R.A. Segalman В Proc. SPIE 10960, Advances in Patterning Materials and Processes XXXVI (USA, California, San Jose, 25–28 February, 2019), USA, Washington, Bellingham, SPIE, 2019, 109600R. doi: 10.1117/12.2514830.
  19. V. Jousseaume, B. Altemus, C. Ribière, S. Minoret, M. Gottardi, C. Ratin, K. Ichiki, T. Mourier, J. Faguet Microelectron. Eng., 2017, 167, 80. doi: 10.1016/j.mee.2016.11.005.
  20. E.A. Smirnova, A.V. Miakonkikh, A.E. Rogozhin, K.V. Rudenko J. Phys. Conf. Ser., 2020, 1695(1), 012045. doi: 10.1088/1742-6596/1695/1/012045.
  21. S.-S. Yim, D.-J. Lee, K.-S. Kim, S.-H. Kim, T.-S. Yoon, K.-B. Kim J. Appl. Phys., 2008, 103(11), 113509. doi: 10.1063/1.2938052.
  22. S. Somani, A. Mukhopadhyay, C. Musgrave J. Phys. Chem. C, 2011, 115, 11507. doi: 10.1021/jp1059374.
  23. K.V. Rudenko, A.V. Myakon’kikh, A.E. Rogozhin, O.P. Gushchin, V.A. Gvozdev Russ. Microelectron, 2018, 47, 1. doi: 10.1134/S1063739718010055.
  24. M.H. van der Veen, N. Heyler, O.V. Pedreira, I. Ciofi, S. Decoster, V.V. Gonzalez, N. Jourdan, H. Struyf, K. Croes В Proc. 2018 IEEE International Interconnect Technology Conference (USA, CA, Santa Clara, 4–7 June, 2018), USA, New York, IEEE, 2018, pp. 172–174. doi: 10.1109/IITC.2018.8430407.
  25. A.V. Morozkin, Yu.D. Seropegin J. Alloys Compd., 2004, 365, 168. doi: 10.1016/S0925-8388(03)00652-2.
  26. M.L. Foo, Q. Huang, J.W. Lynn, W.L. Lee, T. Klimczuk, I.S. Hagemann, N.P. Ong, R.J. Cava J. Solid State Chem., 2006, 179, 563. doi: 10.1016/j.jssc.2005.11.014.
  27. D.Z. Austin, M.A. Jenkins, D. Allman, S. Hose, D. Price, C.L. Dezelah, J.F. Conley Chem. Mater., 2017, 29(3), 1107. doi: 10.1021/acs.chemmater.6b04251.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Рогожин А.Е., Пермякова О.О., Смирнова Е.А., Ломов А.А., Симакин С.Г., Руденко К.В., 2025

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».