Отправить статью по E-mail Quasi-Two-Dimensional Electron–Hole Liquid in Shallow SiGe/Si Quantum Wells
- Авторы: Vasilchenko A.A.1,2, Kopytov G.F.2, Krivobok V.S.3,4
-
Учреждения:
- Kuban State Technological University
- Kuban State University
- P. N. Lebedev Physical Institute
- National Research Nuclear University “MEPhI”
- Выпуск: Том 61, № 2 (2018)
- Страницы: 205-210
- Раздел: Physics of Semiconductors and Dielectrics
- URL: https://ogarev-online.ru/1064-8887/article/view/240133
- DOI: https://doi.org/10.1007/s11182-018-1386-6
- ID: 240133
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
An analytical expression is obtained for the energy of a quasi-two-dimensional electron-hole liquid (EHL) in shallow quantum wells. It is shown that in the Si/Si1–xGex/Si structures with small x, the EHL contains light and heavy holes. With increasing x, the transition of EHL to a state with heavy holes occurs, and the equilibrium density of electron-hole pairs strongly decreases. The effect of an external electric field on the EHL properties is studied.
Ключевые слова
Об авторах
A. Vasilchenko
Kuban State Technological University; Kuban State University
Автор, ответственный за переписку.
Email: a_vas2002@mail.ru
Россия, Krasnodar; Krasnodar
G. Kopytov
Kuban State University
Email: a_vas2002@mail.ru
Россия, Krasnodar
V. Krivobok
P. N. Lebedev Physical Institute; National Research Nuclear University “MEPhI”
Email: a_vas2002@mail.ru
Россия, Moscow; Moscow
Дополнительные файлы
