🔧На сайте запланированы технические работы
25.12.2025 в промежутке с 18:00 до 21:00 по Московскому времени (GMT+3) на сайте будут проводиться плановые технические работы. Возможны перебои с доступом к сайту. Приносим извинения за временные неудобства. Благодарим за понимание!
🔧Site maintenance is scheduled.
Scheduled maintenance will be performed on the site from 6:00 PM to 9:00 PM Moscow time (GMT+3) on December 25, 2025. Site access may be interrupted. We apologize for the inconvenience. Thank you for your understanding!

 

Investigation of High-Intensity Ion Beam Generation in the Diode with External Magnetic Insulation and Explosive Plasma Emission Source


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The ion Br-diode in which plasma is generated under the action of a negative pre-pulse voltage is presented. Preliminary plasma formation allows the energy released in the diode during a positive voltage pulse to be increased. The high-energy ion beam parameters are investigated for the magnetic field induction changing from 0.8Вcr to 1.7Bcr.

Авторлар туралы

V. Shamanin

National Research Tomsk Polytechnic University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: shamanin@tpu.ru
Ресей, Tomsk

A. Stepanov

National Research Tomsk Polytechnic University

Email: shamanin@tpu.ru
Ресей, Tomsk

K. Rysbaev

National Research Tomsk Polytechnic University

Email: shamanin@tpu.ru
Ресей, Tomsk

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature, 2018