🔧На сайте запланированы технические работы
25.12.2025 в промежутке с 18:00 до 21:00 по Московскому времени (GMT+3) на сайте будут проводиться плановые технические работы. Возможны перебои с доступом к сайту. Приносим извинения за временные неудобства. Благодарим за понимание!
🔧Site maintenance is scheduled.
Scheduled maintenance will be performed on the site from 6:00 PM to 9:00 PM Moscow time (GMT+3) on December 25, 2025. Site access may be interrupted. We apologize for the inconvenience. Thank you for your understanding!

 

To the Theory of Electron Passage in a Semiconductor Structure Consisting of Alternating Asymmetric Rectangular Potential Wells and Barriers


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Propagation of electron waves in a medium, whose properties vary only along a certain direction, is theoretically studied. The approach is based on the use of the single-electron stationary Schrödinger equation for the description of elastic scattering processes, including tunneling, of non-interacting spinless particles while maintaining their total energy.

Авторлар туралы

V. Rasulov

Fergana State University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: r_rasulov51@mail.ru
Өзбекстан, Fergana

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Springer Science+Business Media New York, 2017