Semiconductor–Metal Phase Transition and “Tristable” Electrical Switching in Nanocrystalline Vanadium Oxide Films on Silicon


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Temperature dependences of the ac conductivity of nanocrystalline mixed vanadium oxide films on silicon revealed a multistep shape of the hysteresis loop observed during the semiconductor–metal phase transition in VO2, which was not manifested in the case of dc measurements. These peculiarities are related to the size effect, heterophase character of vanadium oxide films, and different types of charge carriers in the bulk of nanocrystallites and on their surfaces. The appearance of steps is explained by the phase transition taking place in separate groups of crystallites with close dimensions. The phenomenon of “tristable” electrical switching in these vanadium oxide films was observed for the first time.

Об авторах

E. Tutov

Voronezh State Technical University

Автор, ответственный за переписку.
Email: tutov_ea@mail.ru
Россия, Voronezh, 394006

D. Goloshchapov

Voronezh State University

Email: tutov_ea@mail.ru
Россия, Voronezh, 394036

V. Zlomanov

Moscow State University

Email: tutov_ea@mail.ru
Россия, Moscow, 119991

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2019

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).