A New Type of Carbon Nanostructure on a Vicinal SiС(111)-8° Surface


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The electronic properties of the Ba/SiC/Si(111)-8° nanointerface have been studied for the first time by photoelectron spectroscopy using synchrotron radiation. The experiments are conducted in situ in superhigh vacuum on submonolayer Ba coatings of SiC/Si(111)-8° samples grown by the method of substitution of atoms. It is found that the adsorption of Ba causes strong changes in the spectrum of the C 1s core level. It is shown that the effect is due to the formation of a new, previously unknown carbon nanostructure. It is found that the nanostructure is formed exclusively on the SiC vicinal surfaces in the presence of stabilizing adsorbed Ba metal atoms and consists of carbon rings, in which the chemical bonds are close in nature to the bonds characteristic of aromatic compounds.

Об авторах

G. Benemanskaya

Ioffe Physical Technical Institute, Russian Academy of Sciences; Institute for Problems of Mechanical Engineering, Russian Academy of Sciences

Автор, ответственный за переписку.
Email: galina.benemanskaya@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 199178

P. Dement’ev

Ioffe Physical Technical Institute, Russian Academy of Sciences

Email: galina.benemanskaya@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021

S. Kukushkin

Institute for Problems of Mechanical Engineering, Russian Academy of Sciences; St. Petersburg National Research University of Information Technologies, Mechanics, and Optics (ITMO University); Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University

Email: galina.benemanskaya@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 199178; St. Petersburg, 197101; St. Petersburg, 195251

A. Osipov

Institute for Problems of Mechanical Engineering, Russian Academy of Sciences; St. Petersburg National Research University of Information Technologies, Mechanics, and Optics (ITMO University)

Email: galina.benemanskaya@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 199178; St. Petersburg, 197101

S. Timoshnev

Institute for Problems of Mechanical Engineering, Russian Academy of Sciences; St. Petersburg National Research Academic University, Russian Academy of Sciences

Email: galina.benemanskaya@mail.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 199178; St. Petersburg, 194021

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2019

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).