A random telegraph signal in tunneling silicon  p – n  junctions with GeSi nanoislands

D. O. Filatov; I. A. Kazantseva; V. G. Shengurov; V. Yu. Chalkov; S. A. Denisov; N. A. Alyabina

doi:10.1134/S1063785016040180

A random telegraph signal in tunneling silicon p–n junctions with GeSi nanoislands

Авторлар: Filatov D.O.¹, Kazantseva I.A.¹, Shengurov V.G.¹, Chalkov V.Y.¹, Denisov S.A.¹, Alyabina N.A.¹
Мекемелер:
1. Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod
Шығарылым: Том 42, № 4 (2016)
Беттер: 435-437
Бөлім: Article
URL: https://ogarev-online.ru/1063-7850/article/view/198874
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016040180
ID: 198874

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

We have experimentally discovered random telegraph signal generation in tunneling silicon p⁺–n⁺ junctions with embedded self-assembled GeSi nanoislands. The observed phenomenon is related to blocking of the electron tunneling via individual GeSi nanoislands due to the generation of holes in, and their thermal emission from, the nanoislands.