Отправить статью по E-mail InAs/GaSb superlattices fabricated by metalorganic chemical vapor deposition
- Авторы: Levin R.V.1,2, Nevedomskii V.N.1, Pushnyi B.V.1,2, Bert N.A.1, Mizerov M.N.2
-
Учреждения:
- Ioffe Physical Technical Institute
- Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research, and Engineering Center
- Выпуск: Том 42, № 1 (2016)
- Страницы: 96-98
- Раздел: Article
- URL: https://ogarev-online.ru/1063-7850/article/view/196947
- DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016010284
- ID: 196947
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
The possibility of fabricating InAs/GaSb strained-layer superlattices by metalorganic chemical vapor deposition has been experimentally demonstrated. The results of transmission electron microscopy and photoluminescence spectroscopy investigations showed that the obtained structures comprise an InAs?GaSb superlattice on a GaSb substrate consisting of 2-nm-thick InAs and 3.3-nm-thick GaSb layers.
Ключевые слова
Об авторах
R. Levin
Ioffe Physical Technical Institute; Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research, and Engineering Center
Email: pushnyi@vpegroup.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 194021
V. Nevedomskii
Ioffe Physical Technical Institute
Email: pushnyi@vpegroup.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021
B. Pushnyi
Ioffe Physical Technical Institute; Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research, and Engineering Center
Автор, ответственный за переписку.
Email: pushnyi@vpegroup.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021; St. Petersburg, 194021
N. Bert
Ioffe Physical Technical Institute
Email: pushnyi@vpegroup.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021
M. Mizerov
Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research, and Engineering Center
Email: pushnyi@vpegroup.ioffe.ru
Россия, St. Petersburg, 194021
Дополнительные файлы
