Silicon with Magnetic Nanoclusters of Manganese Atoms as a New Ferromagnetic Material

M. K. Bakhadyrkhanov; Kh. M. Iliev; G. Kh. Mavlonov; K. S. Ayupov; S. B. Isamov; S. A. Tachilin

doi:10.1134/S1063784219030046

Silicon with Magnetic Nanoclusters of Manganese Atoms as a New Ferromagnetic Material

Авторлар: Bakhadyrkhanov M.K.¹, Iliev K.M.¹, Mavlonov G.K.¹, Ayupov K.S.¹, Isamov S.B.¹, Tachilin S.A.¹
Мекемелер:
1. Karimov State University
Шығарылым: Том 64, № 3 (2019)
Беттер: 385-388
Бөлім: Physics of Nanostructures
URL: https://ogarev-online.ru/1063-7842/article/view/203097
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784219030046
ID: 203097

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

Photosensitivity of the negative magnetoresistance (NMR) of silicon containing magnetic nanoclusters of manganese atoms is revealed under background and IR (up to λ = 3 μm) irradiation at room temperature. It is shown that irradiation leads to a significant decrease in the NMR (NMR suppression) and sign inversion of the NMR at higher radiation intensities. Regularities of variations in the NMR and conditions for sign inversion are determined.