Escape Depth of Secondary and Photoelectrons from CdTe Films with a Ba Film

B. E. Umirzakov; D. A. Tashmukhamedova; M. A. Tursunov; Y. S. Ergashov; G. Kh. Allayarova

doi:10.1134/S1063784219070260

Escape Depth of Secondary and Photoelectrons from CdTe Films with a Ba Film

Авторлар: Umirzakov B.E.¹, Tashmukhamedova D.A.¹, Tursunov M.A.¹, Ergashov Y.S.¹, Allayarova G.K.¹
Мекемелер:
1. Tashkent State Technical University
Шығарылым: Том 64, № 7 (2019)
Беттер: 1051-1054
Бөлім: Physical Electronics
URL: https://ogarev-online.ru/1063-7842/article/view/203862
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784219070260
ID: 203862

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат
Рұқсат жабық

Рұқсат берілді
Рұқсат жабық

Тек жазылушылар үшін

Аннотация
Авторлар туралы
Әдебиет тізімі
Қосымша файлдар
Статистика

Аннотация

Escape zone depths λ' for true-secondary electrons and photoelectrons from pure CdTe and CdTe with a Ba film of thickness θ ≤ 1 monolayer have been estimated for the first time. It is shown that upon a decrease of the work function of the surface by 2 eV, the value of λ' increases by 1.2–1.3 times.