Отправить статью по E-mail Composition, morphology, and electronic structure of the nanophases created on the SiO2 Surface by Ar+ ion bombardment
- Авторы: Yusupjanova M.B.1, Tashmukhamedova D.A.1, Umirzakov B.E.1
-
Учреждения:
- Tashkent State Technical University
- Выпуск: Том 61, № 4 (2016)
- Страницы: 628-630
- Раздел: Short Communications
- URL: https://ogarev-online.ru/1063-7842/article/view/197114
- DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784216040253
- ID: 197114
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
The influence of Ar+ bombardment on the composition and the structure of the SiO2/Si surface is studied. A thin Si film is found to form on the SiO2 surface subjected to high-dose ion bombardment.
Об авторах
M. Yusupjanova
Tashkent State Technical University
Автор, ответственный за переписку.
Email: ftmet@rambler.ru
Узбекистан, ul. Universitetskaya 2, Tashkent, 100095
D. Tashmukhamedova
Tashkent State Technical University
Email: ftmet@rambler.ru
Узбекистан, ul. Universitetskaya 2, Tashkent, 100095
B. Umirzakov
Tashkent State Technical University
Email: ftmet@rambler.ru
Узбекистан, ul. Universitetskaya 2, Tashkent, 100095
Дополнительные файлы
