Origin of the Concentration Quenching of Luminescence in Zn 2 SiO 4 :Mn Phosphors

T. A. Onufrieva; T. I. Krasnenko; N. A. Zaitseva; I. V. Baklanova; M. V. Rotermel’; I. V. Ivanova; I. D. Popov; R. F. Samigullina

doi:10.1134/S1063783419050238

Origin of the Concentration Quenching of Luminescence in Zn₂SiO₄:Mn Phosphors

Авторы: Onufrieva T.A.¹, Krasnenko T.I.¹, Zaitseva N.A.¹^,2, Baklanova I.V.¹, Rotermel’ M.V.¹, Ivanova I.V.¹, Popov I.D.¹, Samigullina R.F.¹
Учреждения:
1. Institute of Solid State Chemistry, Ural Branch, Russian Academy of Sciences
2. Ural State Mining University
Выпуск: Том 61, № 5 (2019)
Страницы: 806-810
Раздел: Impurity Centers
URL: https://ogarev-online.ru/1063-7834/article/view/205428
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783419050238
ID: 205428

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

The analysis of the unified series of single-phase Zn_2 – 2xMn_2xSiO₄ samples (x ≤ 0.2) has provided the possibility to determine the optimal dopant concentration x = 0.13 for the maximum luminescence intensity. It has been established that the dominating mechanism of concentration luminescence quenching and excitation energy dissipation is the oxidation of some Mn²⁺ activating ions and the growth of defectness in the luminophore due to this process Phosphors.