Charge transfer features and ferromagnetic order in semiconductor heterostructures δ-doped with manganese


Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

The temperature and field dependences of the specific magnetization and magnetoresistance in heterostructures with a GaAs/Ga0.84In0.16As/GaAs quantum well and a δ-layer of atomic Mn in the barrier layer near the quantum well filled with holes are studied. A change in the resistance and magnetization behavior upon ordering of localized magnetic moments in the cap layer due to a change in the manganese ion distribution topology is detected.

Об авторах

A. Lugovykh

Mikheev Institute of Metal Physics

Email: charikova@imp.uran.ru
Россия, ul. S. Kovalevskoi 18, Yekaterinburg, 620990

T. Charikova

Mikheev Institute of Metal Physics; Institute of Natural Sciences

Автор, ответственный за переписку.
Email: charikova@imp.uran.ru
Россия, ul. S. Kovalevskoi 18, Yekaterinburg, 620990; pr. Lenina 51, Yekaterinburg, 620000

V. Okulov

Mikheev Institute of Metal Physics; Institute of Natural Sciences

Email: charikova@imp.uran.ru
Россия, ul. S. Kovalevskoi 18, Yekaterinburg, 620990; pr. Lenina 51, Yekaterinburg, 620000

K. Moiseev

Ioffe Institute

Email: charikova@imp.uran.ru
Россия, ul. Politekhnicheskaya 26, St. Petersburg, 194021

Yu. Kudryavtsev

National Polytechnical Institute, (Cinvestav-IPN)

Email: charikova@imp.uran.ru
Мексика, Avenida IPN 2508, Colonia Zacatenco, Mexico City, 07360

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2016

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).