Отправить статью по E-mail 
Магнитная доменная структура микропроводов на основе железа после удаления стеклянной оболочки путем скалывания и химического травления
- Авторы: Аксенов О.И.1, Фукс А.А.1,2, Аронин А.С.1
-
Учреждения:
- Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН
- НИУ “Высшая школа экономики”
- Выпуск: № 1 (2024)
- Страницы: 11-16
- Раздел: Статьи
- URL: https://ogarev-online.ru/1028-0960/article/view/256983
- DOI: https://doi.org/10.31857/S1028096024010025
- EDN: https://elibrary.ru/DQYRHF
- ID: 256983
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Методом магнитно-силовой микроскопии исследована магнитная доменная структура поверхности микропроводов состава Fe73.9B13.2Si10.9C2. Установлено, что удаление стекла с помощью скалывания приводит к искажению исходной магнитной структуры. Химическое травление стеклянной оболочки позволяет наблюдать магнитную доменную структуру, обусловленную напряжениями, возникшими вследствие изготовления микропровода. В отсутствие приложенного магнитного поля наблюдается магнитная структура поверхностного слоя, состоящая из доменных прослоек, наклоненных к оси микропровода на 45° или 135°. Данная структура имеет форму, близкую к зигзагообразной. Толщина доменных прослоек непостоянна и варьируется от 3 до 5 мкм. Обнаружено, что приложение постоянного магнитного поля вдоль оси микропровода вызывает образование кольцеобразных доменных прослоек различной толщины (от 1 до 5 мкм) с различной ориентацией магнитного момента относительно поверхности микропровода. В поле напряженностью 60 Э, приложенном вдоль оси микропровода, доменная магнитная структура представляет собой только кольцеобразные слои доменов. Инвертирование поля приводит к практически полной инверсии наблюдаемой доменной структуры. Полное снятие магнитного поля приводит к формированию новой доменной структуры поверхностного слоя. Такая структура близка по форме и положению доменов к исходной, но не повторяет ее.
Полный текст
Об авторах
О. И. Аксенов
Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН
Автор, ответственный за переписку.
Email: oleg_aksenov@inbox.ru
Россия, Черноголовка
А. А. Фукс
Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН; НИУ “Высшая школа экономики”
Email: oleg_aksenov@inbox.ru
Россия, Черноголовка; Москва
А. С. Аронин
Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН
Email: oleg_aksenov@inbox.ru
Россия, Черноголовка
Список литературы
- Chiriac H., Ovari T. A., Pop G. // Phys. Rev. B 1995. V. 52. P. 10104. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.52.10104
- Orlova N.N., Gornakov V.S., Aronin A.S. // J. Appl. Phys. 2017. V. 121. P. 205108. http://dx.doi.org/10.1063/1.4984055
- Honkura Y., Honkura Sh. // J. Magn. Magn. Mater. 2020. V. 513. P. 167240. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2020.167240
- Chiriac H., Ovari T.A. // Prog. Mater. Sci. 1996. V. 40. P. 333. https://doi.org/10.1016/S0079-6425(97)00001-7
- Talaat A., Zhukova V., Ipatov M., Blanco J.M., Gonzalez-Legarreta L., Hernando B., del Val J.J., González J., Zhukov A. // J. Appl. Phys. 2014. V. 115. P. 17A313. https://doi.org/10.1063/1.4863484
- Corte-León P., Zhukova V., Ipatov M., Blanco J.M., Gonza-lez J., Zhukov A. // Intermetallics. 2019. V. 105. P. 92. https://doi.org/10.1016/j.intermet.2018.11.013
- Gonzalez A., Zhukova V., Corte-Leon P., Chizhik A., Ipatov M., Blanco J. M., Zhukov A. // Sensors. 2022. V. 22(3). P. 1053. https://doi.org/10.3390/s22031053
- Churyukanova M., Kaloshkin S., Shuvaeva E., Mitra A., Panda A.K., Roy R.K., Murugaiyan P., Corte-Leon P., Zhukova V., Zhukov A. // JMMM. 2019. V. 492. P. 165598. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2019.165598
- Zhukov A., Ipatov M., Corte-León P., Gonzalez- Legarreta L., Churyukanova M., Blanco J. M., Gonza-lez J., Taskaev S., Hernando B., Zhukova V. // J. Alloys Compd. 2020. V. 814. P. 152225. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.152225
- Morón C., Cabrera C., Morón A., García, A., Gonzá- lez M. // Sensors. 2015. V. 15. P. 28340. http://doi.org/10.3390/s151128340
- Panina L.V., Mohri K. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. P. 1189. http://doi.org/10.1063/1.112104
- Mohri K., Uchiyama T., Panina L.V., Yamamoto M., Bushida K. // J. Sens. 2015. V. 2015. P. 718069. http://doi.org/10.1155/2015/718069
- Mohri K., Humphrey F.B., Panina L.V., Honkura Y., Yamasaki J., Uchiyama T., Hiram M. // Phys. Status Solidi. 2009. V. 206. P. 601. https://doi.org/10.1002/pssa.200881252
- Vereshchagin M., Baraban I., Leble S., Rodiono- va V. // JMMM. 2020. V. 504. P. 166646. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2020.166646
- Chizhik A., Garcia C., Zhukov A., Gawronski P., Kulakowski K., Gonzalez J., Blanco J.M. // JMMM. 2007. V. 316. P. 332. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2007.03.007
- Rodionova V., Baraban I., Chichay K., Litvinova A., Perov N. // JMMM. 2017. V. 422. P. 216. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2016.08.082
- Aksenov O.I., Abrosimova G.E., Aronin A.S., Orlova N.N., Churyukanova M.N., Zhukova V.A., Zhukov A.P. // J. Appl. Phys. 2017. V. 122. P. 235103. http://dx.doi.org/10.1063/1.5008957
- Chizhik A., Corte-Leon P., Zhukova V., Gonzalez J., Gawronski P., Blanco J.M., Zhukov A. // Sensors. 2023. V. 23. P. 3079. https://doi.org/10.3390/s23063079
- Chizhik A., Gonzalez J. Magnetic Microwires. A Magneto-Optical Study. Singapore: Pan Stanford Publishing, 2014.
- Kabanov Yu., Zhukov A., Zhukova V., Gonzalez J. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. P. 142507. https://doi.org/10.1063/1.2077854
Дополнительные файлы
