Direct Observation of Growth Processes on the Crystal Surface Initiated by the Impurities Capturing

N. N. Piskunova; Пискунова Н. Н.

doi:10.31857/S086960552303005X

Прямое наблюдение процессов роста на кристаллической поверхности, инициируемых захватом примеси

Авторы: Пискунова Н.Н.¹
Учреждения:
1. Институт геологии имени акад. Н.П. Юшкина, Коми НЦ УрО РАН
Выпуск: Том CLII, № 3 (2023)
Страницы: 82-97
Раздел: МИНЕРАЛОГИЧЕСКАЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЯ
URL: https://ogarev-online.ru/0869-6055/article/view/136746
DOI: https://doi.org/10.31857/S086960552303005X
EDN: https://elibrary.ru/XGQGZS
ID: 136746

Цитировать

Полный текст

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

В экспериментах по росту молекулярных кристаллов диоксидина в присутствии микрозерен турмалина в качестве механической примеси с помощью атомно-силовой микроскопии был зарегистрирован инициированный примесью процесс формирования винтовой дислокации. Для теоретического объяснения процесса предложен трехстадийный механизм, который заключается: (1) в релаксации напряжений вокруг примесной частицы путем формирования одной или нескольких дислокаций еще до ее герметизации на первой стадии, (2) присоединения к ним краевых дислокаций в момент закрывания ростовым слоем на второй стадии и (3) появлении результирующей дислокации после полного зарастания частицы на третьей стадии. Также впервые в наномасштабе зарегистрирован процесс прорастания винтовой дислокации сквозь накрывающий ее кристаллический макрослой.

Ключевые слова

атомно-силовая микроскопия, рост кристаллов из раствора, примеси, винтовые дислокации

Об авторах

Н. Н. Пискунова

Институт геологии имени акад. Н.П. Юшкина, Коми НЦ УрО РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: piskunova@geo.komisc.ru
Россия, 167982, Сыктывкар, Первомайская ул., 54

Список литературы

Авров Д.Д., Александрова О.А., Лебедев А.О., Мараева Е.В. Технология материалов микроэлектроники: методы разделения и очистки: учеб. пособие. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ “ЛЭТИ”, 2020. 204 с.
Пискунова Н.Н. Изучение процессов самоорганизации на поврежденной поверхности кристалла с помощью атомно-силовой микроскопии // ЗРМО. 2022. Ч. 151. № 5. С. 112–127.
Смольский И.Л., Руднева Е.Б. Влияние морфологии растущих граней на ориентацию ростовых дислокаций в кристаллах KDP // Кристаллография. 1993. Т. 38. Вып. 4. С. 248–256.
Современная кристаллография / Чернов А.А., Гиваргизов Е.И., Багдасаров Х.С., Кузнецов В.А., Демьянец Л.Н., Лобачев А.Н. Т. 3. М.: Наука, 1980. 407 с.