Микроэлектроника
ISSN (print): 0544-1269
Свидетельство о регистрации СМИ: № 0110136 от 04.02.1993
Учредители: Российская академия наук, Физико-технологический ин-тут РАН
Главный редактор: Красников Геннадий Яковлевич, академик РАН, д-р техн. наук
Периодичность / доступ: 6 выпусков в год / подписка
Входит в: Белый список (2 уровень), перечень ВАК, РИНЦ
Журнал посвящён технологическим, физическим и схемотехническим аспектам микро- и наноэлектроники. Особое внимание уделяется новым тенденциям в литографии (оптической, рентгеновской, электронной, ионной), травлении, легировании, осаждении и планаризации на субмикронном и нанометровом уровнях. Значительное место отводится пучковым и плазменным технологиям, в том числе молекулярно-пучковой эпитаксии и сухому травлению, а также методам исследования и контроля поверхностей и многослойных структур. Обсуждаются вопросы приборно-технологического моделирования и диагностики технологических процессов в реальном времени. Публикуются статьи о полупроводниковых приборах на базе новых физических принципов, таких как квантовые размерные эффекты и сверхпроводимость. Данное направление исследований охватывает гетероструктуры, нанотранзисторы и твердотельные кубиты для квантовых вычислений.
Журнал предназначен для специалистов научно-исследовательских институтов, высших учебных заведений и производственно-контрольных лабораторий, а также для аспирантов.
Журнал основан в 1972 году.
Текущий выпуск
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Том 54, № 6 (2025)
КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
РАЗРАБОТКА ПРОТОКОЛОВ НЕЧЕТКИХ КВАНТОВЫХ ИЗМЕРЕНИЙ ДЛЯ ИОННЫХ КУДИТОВ
Аннотация
Предложена модель расчета протоколов квантовой томографии ионных кудитов, которая позволяет учитывать ошибки в задании параметров преобразований при проведении измерений. Представлено сравнение точности томографии ионных кудитов в условиях задания параметров преобразований с ошибками для стандартного метода и метода нечетких квантовых измерений. Продемонстрировано радикальное преимущество модели нечетких квантовых измерений по сравнению со стандартной моделью. Показано, что разработанная модель позволяет получить набор двухуровневых преобразований квантовых состояний кудитов, обеспечивающий реализацию заданного протокола квантовых измерений.
Микроэлектроника. 2025;54(6):461–469
461–469
ЛИТОГРАФИЯ
СТАБИЛИЗИРУЮЩАЯ ОБРАБОТКА ПЛЕНОК НЕГАТИВНЫХ ФОТОРЕЗИСТОВ СЕРИИ AZ nLOF20XX НА КРЕМНИИ
Аннотация
Методами ИК-Фурье-спектроскопии и микроиндентирования исследованы пленки негативных фоторезистов (ФР) AZ nLOF2020 и AZ nLOF2070 толщиной ~ 6.0 мкм, нанесенные на поверхность пластин монохристаллического кремния методом центрифугирования. Показано, что после облучения светом с λ = 404 нм в течение 106 с и последующей сушки при 115 °С длительностью 60 с в отражательно-абсорбционных спектрах фоторезистивных пленок наблюдается смещение в высокоэнергетическую область максимумов интерференционных полос. Оно вызвано уменьшением толщины ФР пленки, обусловленным испарением растворителя в процессе сушки. Эти процессы протекают более интенсивно в пленках AZ nLOF2020, в которых смещение интерференционных полос составляло ~ 9%, в то время как в пленках AZ nLOF2070 оно не достигало 1%. Показано, что полосы поглощения с максимумами при 1070 и 1100 см−1, связанные с асимметричными и симметричными валентными колебаниями C-O-C связей в алифатических эфирах, и при 2940 см−1, обусловленные асимметричными валентными колебаниями CH3 связей, связаны с растворителем. Установлено, что микротвердость пленок серии AZ nLOF20XX увеличивается после стабилизирующей сушки, что вызвано сшиванием молекул фенол-формальдегидной смолы – основы фоторезиста. Полученные экспериментальные данные объяснены с учетом упорядочения структуры фоторезистивной пленки вблизи границы раздела ФР/кремний вследствие ориентации молекул и наличия в пленках AZ nLOF2020 большей концентрации остаточного растворителя.
Микроэлектроника. 2025;54(6):470–477
470–477
МЕМРИСТОРЫ
ОСОБЕННОСТИ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ МЕМРИСТОРОВ НА ОСНОВЕ ППК С НАНОЧАСТИЦАМИ PbTe ПРИ ФОТОВОЗБУЖДЕНИИ
Аннотация
Исследованы структурные и мемристичные свойства слоистых образцов Cu/ППК–PbTe/ITO на основе парилена (поли-n-ксилилен, ППК) с наночастицами PbTe. Обнаружено необычное влияние света на характер резистивного переключения (РП) — в высокоомном состоянии проводимость мемристора растет при подсветке, тогда как, в низкоомном состоянии наблюдается отрицательная фотопроводимость (т.е. заметное ее уменьшение) при циклических РП. Предложена качественная модель, описывающая механизм переключения при оптическом возбуждении и в его отсутствии. Характеристики РП и возможность управления ими с помощью освещения демонстрируют возможность использования гибридных ППК-мемристоров в качестве сенсорных и синаптических элементов при разработке нейроморфных систем компьютерного зрения.
Микроэлектроника. 2025;54(6):478–486
478–486
МОДЕЛИРОВАНИЕ
ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ФТОРПОЛИМЕРНЫЕ ИЗДЕЛИЯ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ (ОБЗОР)
Аннотация
Особенностью микроэлектронного производства являются высокие требования к: чистоте сырья и конечных продуктов, технологическим процессам, оборудованию и помещениям. Зачастую это достигается применением агрессивных реагентов, что требует оборудования и технологической оснастки из химически стойких материалов. Таковыми являются фторполимеры (ФП), изделия из которых используются в технологических процессах микроэлектронного производства. Длительное время требуемые ФП-изделия поставлялись из-за рубежа, но сейчас они под санкциями и возникла настоятельная потребность организации их производства в РФ. Естественно, необходим анализ отечественной фторполимерной науки и производства ФП-изделий для устранения возникших проблем. Успех мероприятия во многом зависит от кооперации, взаимопонимания специалистов по микроэлектронике и фторполимерным материалам, на которых и ориентирован обзор. Особое внимание уделено изделиям для фильтрации агрессивных реагентов, очистки воды и воздуха, отбора и хранения проб, проведения реакций с особо чистыми химическими веществами.
Микроэлектроника. 2025;54(6):487–515
487–515
МИНИАТЮРНЫЙ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЙ АКТЮАТОР С УВЕЛИЧЕННОЙ СИЛОЙ ПРИЖИМА ДЛЯ РЕЗИСТИВНОГО МЭМС-ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЯ
Аннотация
Микромеханические переключатели представляют значительный интерес для СВЧ-электроники, однако их внедрению препятствует невысокая надежность. Актюаторы микронного размера развивают малую силу прижима контактов, не позволяющую достичь низкого и стабильного контактного сопротивления. Силу увеличивают за счет использования электродов большого размера и сложной формы, но компактный и простой привод более предпочтителен. В статье описаны методы увеличения контактной силы МЭМС-переключателя с электростатическим управлением. Они продемонстрированы на миниатюрном актюаторе с подвижным электродом в форме кантилевера длиной 50 мкм. Подбор вертикальных размеров позволяет нарастить силу с 10 до 115 мкН и с запасом преодолеть необходимый порог 100 мкН. Размыкающая сила также возрастает и обеспечивает защиту ключа от залипания. Объединение нескольких актюаторов и удаление промежуточных контактных выступов дополнительно повышают удельную силу по меньшей мере на 50% по сравнению с одиночным устройством.
Микроэлектроника. 2025;54(6):516–527
516–527
НАНОСТРУКТУРЫ
ИССЛЕДОВАНИЕ МАГНИТООПТИЧЕСКОГО ОТКЛИКА ОТДЕЛЬНЫХ СЛОЕВ МНОГОСЛОЙНЫХ МАГНИТНЫХ СИСТЕМ
Аннотация
В интегральном магнитооптическом отклике трехслойной структуры Co(6 нм)/Ru(10 нм)/Co(10 нм)/Si (100) выделены вклады различных отдельных слоев кобальта. Разработан и описан метод, который позволяет на основе анализа закономерностей магнитооптических зависимостей анализировать магнитные свойства отдельных магнитных слоев трехслойных систем, выделяя направления магнитной анизотропии. Развитый метод позволил установить, что свойства магнитной анизотропии пленок кобальта в многослойной структуре зависят от свойств буферного слоя и подложки, взаимодействия на интерфейсах, механических напряжений, а также определить направления осей магнитной анизотропии в каждом из слоев.
Микроэлектроника. 2025;54(6):528–544
528–544
ПАМЯТЬ
ТРОИЧНЫЕ ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ПЕРФОРИРОВАННЫХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК
Аннотация
В работе исследуются ферромагнитные пленки с сильной одноосной анизотропией типа «легкая плоскость» и обосновывается, что парные наноразмерные перфорации в таких пленках могут быть использованы в качестве ячеек памяти для записи и хранения данных в троичной системе исчисления. Изучена проблема считывания состояния ячеек такого типа, а также предложен подход к ее решению, заключающийся в измерении отклика системы на пикосекундный импульс внешнего магнитного поля. Получены параметры системы, при которых величина данного отклика оказывается наибольшей, а также проведены оценки этой величины как аналитическими, так и численными методами.
Микроэлектроника. 2025;54(6):545–552
545–552