Том 121, № 11-12 (2025)

Представлены результаты экспериментального исследования энергетического спектра нейтронов, генерируемых в фотоядерной реакции Pb(γ, n) с использованием короткоимпульсного лазерноплазменного источника электронов (1 ТВт, 10 Гц). Электронный пучок, ускоренный в струе азота, направлялся на свинцовый конвертер, где генерировалось тормозное γ-излучение, инициирующее реакцию фоторасщепления. Для измерения спектра нейтронов впервые применен времяпролетный метод в режиме счета нейтронов с использованием сцинтилляционного детектора на основе кристалла стильбена. Полученный спектр демонстрирует экспоненциальное распределение с характерной “температурой” ∼ 2 МэВ и максимальной энергией ∼ 8 МэВ. Разработанный метод имеет большие перспективы для исследований сечений фотоядерных реакций вблизи порога с использованием компактных лазерных систем или проектируемых источников γ-излучения на основе обратного комптоновского эффекта.

Рассчитаны дисперсии собственных экситон-поляритонных резонансных энергий и затуханий, а также параметры Стокса излучения в дальней волновой зоне в полупроводниковом микрорезонаторе с хиральным фотонным кристаллом с симметрией C4 на верхнем брэгговском зеркале. Показано, что понижение симметрии области лазерной генерации в таком микрорезонаторе приводит к нарушению равенства порогов генерации двукратно вырожденных состояний в Γ точке зоны Бриллюэна и эллиптической поляризации лазерного излучения в дальней волновой зоне с высокой степенью циркулярной поляризации и ориентацией линейно-поляризованной составляющей, определяемой формой области возбуждения.

В данной работе экспериментально исследовано влияние сильного (до 7.5 МВ/см) терагерцевого поля на процессы генерации гармоник низкого (2–5 эВ) и высокого (55–83 эВ) порядков излучения ближнего ИК-диапазона с длиной волны 1.24 мкм при его воздействии на струю аргона. Показано, что квазипостоянное на временном масштабе осцилляций ИК-поля терагерцевое поле приводит к появлению четных гармоник как низкого, так и высокого порядков, что в первом случае обуславливается нарушением пространственной симметрии атомного потенциала, а во втором – ТГц-индуцированным изменением симметрии временной формы ИК-поля. Экспериментально установлено, что добавление ТГц-поля приводит к одновременной модуляции интенсивности как четных, так и нечетных гармоник высокого порядка, в то время как изменение интенсивности гармоник низкого порядка наблюдается лишь для четных компонент. Четные гармоники низкого и высокого порядка (2-я и 70-я гармоники, соответственно) демонстрируют разную степенную зависимость от ТГц-поля с ростом энергии ИК-импульса, что обусловлено появлением дополнительного излучения на частоте 2-й гармоники в условиях формирования лазерноиндуцированной плазмы.

В большинстве халькогенидных стекол при сжатии, начиная с давлений 1–1.5 ГПа, наблюдается неупругое поведение: размытые структурные превращения со сложной логарифмической кинетикой. В соответствующих расплавах также происходит изменение структуры промежуточного и ближнего порядка, как правило, в диапазоне давлений от 1 до 10 ГПа. В то же время температура стеклования Tg для халькогенидных систем при давлениях выше 1 ГПа ранее никем не исследовалась. В настоящей работе впервые исследовано стеклование в “классическом” стеклообразующем соединении As2S3 при высоком гидростатическом давлении до 5 ГПа, т.е именно в том диапазоне, где наблюдаются размытые превращения и рост химического беспорядка в стекле и в расплаве. При более высоких давлениях начинается плавная металлизация и химическое диспропорционирование расплава, и стекла при охлаждении не образуются. Начальный наклон линии стеклования dTg/dP хорошо согласуется с оценкой из термодинамических соотношений Пригожина – Дэфея. Линия стеклования имеет большую кривизну, резко выполаживается при сжатии вплоть до давления 3 ГПа, а затем переходит к почти линейной зависимости. Отношение температуры стеклования к температуре плавления Tg/Tm для As2S3 падает с давлением от 0.8 до 0.6 при 5 ГПа, что свидетельствует о кардинальном уменьшении склонности к стеклообразованию при сжатии. Обсуждается возможная связь особенностей характера кривой стеклования и превращений в расплаве и стекле при соответствующих давлениях.

Фазовая диаграмма давление–температура сверхпроводящего UTe2 с тремя линиями фазовых переходов второго рода не может быть объяснена в терминах последовательных переходов в сверхпроводящие состояния с понижением симметрии. Задача решается с использованием двухзонного описания сверхпроводящего состояния UTe2.

Предложена математическая модель оптической ловушки, в которой наночастица захватывается полем стоячей волны, сформированной при отражении фотонной струи от поверхности диэлектрика. Сформулированы уравнения движения для наночастицы под действием поля ловушки при наличии вязкого трения в среде (жидкости). Дана аналитическая оценка условий устойчивого захвата наночастицы в ловушке. С помощью численного решения уравнений движения проанализирована роль трения в устойчивости ловушки.

Методом расчета из первых принципов была исследована кристаллическая структура поверхностной реконструкции Si(111)2 × 2-(Bi,Mg), полученной в процессе адсорбции магния на поверхностную фазу Si(111)√3 × √3-Bi. Установлен стехиометрический состав элементарной ячейки поверхностной реконструкции 2 × 2. Исходя из полученных расчетных значений энергии формирования, определены наиболее стабильные структуры для двумерного сплава типа BiXMgY , Показано, что структурная модель с конфигурацией X = 2 и Y = 4 хорошо согласуется с результатами наблюдений реконструированной поверхности Si(111)2 × 2-(Bi,Mg), полученными с помощью методов дифракции медленных электронов и сканирующей туннельной микроскопии.

В настоящей работе представлены результаты исследований фононной и релаксационной подсистем в кристалле релаксорного сегнетоэлектрика PbCo1/3Nb2/3O3 – (PCN) с помощью рамановского рассеяния света в диапазоне температур от 650 до 80 K, включающим в себя области “размытого фазового перехода” с максимумом диэлектрической проницаемости Tm ≈ 250 K на частоте 1 кГц и зарядового фазового расслоения в окрестности 170 K. Было показано, что поляризованные спектры PCN подобны тем, что наблюдаются в релаксорных сегнетоэлектриках со структурой перовскита. Анализ температурного поведения основных фононных мод и анизотропного квазиупругого рассеяния света показал существование аномалий в области начала образования (T2 ∼ 230 K) и окончательного формирования (T3 ∼ 170 K) зарядового фазового расслоения, определяемого присутствием в кристалле PCN ионов Co2+ и Co3+. Аномалии в эволюции рамановских спектров в окрестности максимума диэлектрической проницаемости Tm, характерные для релаксорных сегнетоэлектриков в PCN, не наблюдались. Динамика полярных нанообластей, определяющих поведение квазиупругого рассеяния света, отличается от той, что наблюдается в модельном релаксорном сегнетоэлектрике PbMg1/3Nb2/3O3

В статье описано семейство 1+1-мерных классических интегрируемых пространственно-дискретных моделей типа Ландау–Лифшица, используя анзац для U–V пары (Лакса) со спектральным параметром, удовлетворяющей полудискретному уравнению Захарова–Шабата. Анзац для U–V пары основан на Rматрицах, удовлетворяющих ассоциативному уравнению Янга–Бакстера и некоторым дополнительным свойствам. Уравнения движения получены с использованием набора R-матричных тождеств. В непрерывном пределе воспроизводится полученное ранее семейство уравнений Ландау-Лифшица старшего ранга.

Протоколы квантовой криптографии на когерентных состояниях представляют интерес из-за простоты практической реализации. Но доказательство стойкости против всех атак для таких протоколов может быть непростым из-за затухания в линии связи, которое может быть использовано перехватчиком. В этой работе строится атака на протокол квантовой криптографии на боковых частотах, которая обобщает атаку разделением по числу фотонов. Анализируется эффективность атаки, в том числе в условиях отсутствия у перехватчика квантовой памяти.