Email this article 
Porogovaya fotogeneratsiya bieksitonov v nanokristallakh na osnove pryamozonnykh poluprovodnikov
- Authors: Fomichev S.A1, Burdov V.A1
-
Affiliations:
- Issue: Vol 120, No 11-12 (2024)
- Pages: 856-862
- Section: Articles
- URL: https://ogarev-online.ru/0370-274X/article/view/275010
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0370274X24120064
- EDN: https://elibrary.ru/DNXMXQ
- ID: 275010
Cite item
Full Text
Abstract
Рассмотрен процесс создания двух электронно-дырочных пар (биэкситона) в нанокристалле на основе прямозонного полупроводника с невырожденной зоной проводимости за счет поглощения одного фотона с энергией, равной удвоенной ширине энергетической щели нанокристалла. Показано, что процесс может идти только при наличии межэлектронного взаимодействия и взаимодействия электронов с полем кристаллической решетки. Рассчитана скорость процесса, которая оказывается сильно зависящей от размера нанокристалла.
References
- A.R. Beattie, J. Phys. Chem. Solids 24, 1049 (1962).
- E.O. Kane, Phys. Rev. 159, 624 (1967).
- C. L. Anderson and C.R. Crowell, Phys. Rev. B 5, 2267 (1972).
- R.C. Alig and S. Bloom, Phys. Rev. Lett. 35, 1522 (1975).
- J. Bude and K. Hess, J. Appl. Phys. 72, 3554 (1992).
- O. Christensen, J. Appl. Phys. 47, 689 (1976).
- S. Kolodinski, J.H. Werner, T. Wittchen, and H. J. Queisser, Appl. Phys. Lett. 63, 2405 (1993).
- M. Wolf, R. Brendel, J.H. Werner, and H. J. Queisser, J. Appl. Phys. 83, 4213 (1998).
- K. Hyeon-Deuk and O.V. Prezhdo, J. Phys.: Condens. Matter 24, 363201 (2012).
- V. I. Klimov, Annu. Rev. Condens. Matter Phys. 5, 285 (2014).
- I. Marri and S. Ossicini, Nanoscale 13, 12119 (2021).
- C. Melnychuk and P. Guyot-Sionnest, Chem. Rev. 121, 2325 (2021).
- M.C. Beard, A.G. Midgett, M.C. Hanna, J.M. Luther, B.K. Hughes, and A. J. Nozik, Nano Lett. 10, 3019 (2010).
- R.D. Schaller and V. I. Klimov, Phys. Rev. Lett. 92, 186601 (2004).
- M.C. Beard, K.P. Knutsen, P. Yu, J.M. Luther, Q. Song, W.K. Metzger, R. J. Ellingson, and A. J. Nozik, Nano Lett. 7, 2506 (2007).
- R.D. Schaller, V.M. Agranovich, and V. I. Klimov, Nat. Phys. 1, 189 (2005).
- V. I. Rupasov and V. I. Klimov, Phys. Rev. B 76, 125321 (2007).
- S.A. Fomichev and V.A. Burdov, J. Chem. Phys. 160, 234301 (2024).
- В.А. Бурдов, ЖЭТФ 121, 480 (2002).
- J.R. Chelikowsky and M. L. Cohen, Phys. Rev. B 14, 556 (1976).
- P.Y. Yu and M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors, Springer-Verlag Berlin Heidelberg (2010).
- P. Lawaetz, Phys. Rev. B 4, 3460 (1971).
- M. L. Cohen and T.K. Bergstresser, Phys. Rev. 141, 789 (1966).
- V.A. Belyakov, V.A. Burdov, R. Lockwood, and A. Meldrum, Adv. Opt. Tech. 2008, 279502 (2008).
Supplementary files
