Магнитные переключения FSF-мостиков при низких температурах

В статье представлены эксперименты по изучению вольт-амперных характеристик планарных микромостиков Pd0.99Fe0.01-Nb-Pd0.99Fe0.01 при температурах существенно меньше критической. Обнаружено, что даже при таких температурах наблюдается эффект магнитной памяти, проявляющийся в зависимости формы вольт-амперных характеристик от взаимной ориентации намагниченностей F-слоев. Показано, что исследованный образец может функционировать в качестве магнитного переключателя с амплитудой изменения напряжения более 600 мкВ, что соответствует характеристической частоте около 300 ГГц при использовании таких мостиков в качестве элементов памяти в устройствах быстрой одноквантовой логики. Такие характеристики были получены при температуре 0.93Tc, являющейся минимальной рабочей температурой реализованного элемента памяти. Обнаружен низковольтный режим работы образца, характеризующийся широким диапазоном допустимых токов питания.