Rost silitsena metodom molekulyarno-luchevoy epitaksii na podlozhkakh CaF2/Si(111), modifitsirovannykh elektronnym oblucheniem

Cover Page

Cite item

Full Text

Abstract

Впервые экспериментально продемонстрирована возможность получения силицена на модифицированных электронным облучением подложках CaF2/Si(111). Показано, что формирующиеся под электронным пучком участки планарной поверхности CaSi2 с гексагональной упаковкой могут быть использованы как естественная основа для последующего роста силицена. На таких поверхностях проведено осаждение кремния и методами атомно-силовой микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света получено подтверждение формирования островков силицена.

References

  1. К. А. Лозовой, В. В. Дирко, В. П. Винарский, А.П. Коханенко, А. В. Войцеховский, Н.Ю. Акименко, Изв. вузов. Физика. 63, 104 (2021).
  2. P. Vogt, P. De Padova, C. Quaresima, J. Avila, E. Frantzeskakis, M. C. Asensio, A. Resta, B. Ealet, and G. Le Lay, Phys. Rev. Lett. 108, 155501 (2012).
  3. B. Feng, Z. Ding, S. Meng, Y. Yao, X. He, P. Cheng, L. Chen, and K. Wu, Nano Lett. 12, 3507 (2012).
  4. D. Chiappe, C. Grazianetti, G. Tallarida, M. Fanciulli, and A. Molle, Adv. Mater. 24, 5088 (2012).
  5. H. Enriquez, S. Vizzini, A. Kara, B. Lalmi, and H. Oughaddou, J. Phys.: Condens. Matter 24, 314211 (2012).
  6. M. E. Davila, L. Xian, S. Cahangirov, A. Rubio, and G. Le Lay, New J. Phys. 16, 095002 (2014)
  7. S. Kokott, P. Pflugradt, L. Matthes, and F. Bechstedt, J. Phys.: Condens. Matter 26, 185002 (2014).
  8. A. Kacyuba, A. Dvurechenskii, G. Kamaev, V. Volodin, and A. Krupin, Mater. Lett. 268, 127554 (2020).
  9. A. V. Dvurechenskii, A. V. Kacyuba, G. N. Kamaev, V. A. Volodin, and Z. V. Smagina, Nanomaterials 12, 1407 (2022).
  10. A. Kacyuba, A. Dvurechenskii, G. Kamaev, V. Volodin, and A. Krupin, J. Cryst. Growth 562, 126080 (2021).
  11. R. Gonzalez-Rodriguez, R. M. del Castillo, E. Hathaway, Y. Lin, J. L. Coffer, and J. Cui, ACS Appl. Nano Mater. 5, 4325 (2022).
  12. R. Yaokawa, T. Ohsuna, T. Morishita, Y. Hayasaka, M. J. S. Spencer, and H. Nakano, Nat. Commun. 7, 10657 (2016).
  13. В. А. Зиновьев, А. Ф. Зиновьева, В. А. Володин, А.К. Гутаковский, А. С. Дерябин, А.Ю. Крупин, Л. В. Кулик, В. Д. Живулько, А. В. Мудрый, А. В. Двуреченский, Письма в ЖЭТФ 116, 608 (2022).
  14. P. De Padova, H. Feng, J. Zhuang, Z. Li, A. Generosi, B. Paci, C. Ottaviani, C. Quaresima, B. Olivieri, M. Krawiec, and Y. Du, Phys. Chem. C 121, 27182 (2017).
  15. L. S. Charles, W. E. Moddeman, and J. T. Grant, Appl. Phys. Lett. 52, 6921 (1981).
  16. A. V. Dvurechenskii, A. V. Kacyuba, G. N. Kamaev, V. A. Volodin, N. P. Stepina, A. F. Zinovieva, and V. A. Zinovyev, Mater. Proc. 14, 68 (2023).
  17. G. Vogg, Martin S. Brandt, M. Stutzmann, and M. Albrecht, J. Cryst. Growth 203, 570 (1999).
  18. X. Meng, A. Ueki, H. Tatsuoka, and H. Itahara, Chem. Eur. J. 23, 3098 (2017).
  19. A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, N. P. Stepina, V. A. Volodin, A. Y. Krupin, A. V. Kacyuba, and A. V. Dvurechenskii, Nanomaterials 12, 3623 (2022)
  20. V. A. Zinovyev, A. V. Kacyuba, V. A. Volodin, A. F. Zinovieva, S. G. Cherkova, Z. V. Smagina, A. V. Dvurechenskii, A. Y. Krupin, O.M. Borodavchenko, and V. D. Zhivulko, Semiconductors 55, 808 (2021).
  21. A. Klust, M. Grimsehl, and J. Wollschlager, Appl. Phys. Lett. 82, 4483 (2003).
  22. C. R. Wang, B. H. Muller, E. Bugiel, and K. R. Hofmann, Appl. Surf. Si. 211, 203 (2003).
  23. J. Suela, E. Abramof, P. H. O. Rappl, F. E. Freitas, H. Closs, and C. Boschetti, J. Phys. D: Appl. Phys. 44, 185405 (2011).
  24. P. Vogt, P. Capiod, M. Berthe, A. Resta, P. De Padova, T. Bruhn, G. Le Lay, and B. Grandidier, Appl. Phys. Lett. 104, 021602 (2014).
  25. C. Grazianetti, E. Cinquanta, L. Tao, P. De Padova, C. Quaresima, C. Ottaviani, D. Akinwande, and А. Molle, ACS Nano 11, 3376 (2017).
  26. E. Noguchi, K. Sugawara, R. Yaokawa, T. Hitosugi, H. Nakano , and T. Takahashi, Adv. Mater. 27, 856 (2015).
  27. S. M. Castillo, Z. Tang, A. P. Litvinchuk, and A. M. Guloy, Inorg. Chem. 55, 10203 (2016).

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
Download

Copyright (c) 2024 Российская академия наук

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).