Мощные линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур (Al)GaAs/AlGaAs/GaAs и GaAsP/GaInP/GaAs

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Представлены теоретические и экспериментальные результаты сравнения мощных лазерных линеек спектрального диапазона 800 – 810 нм, изготовленных на основе гетероструктур (Al)GaAs/AlGaAs и GaAsP/GaInP. Лучшие результаты были продемонстрированы для линеек на основе гетероструктур GaAsP/GaInP. Максимальные значения выходной оптической мощности лазерных линеек длиной 1 см в квазинепрерывном режиме накачки достигали 370 – 380 Вт. Обсуждается возможная причина различия выходных мощностей линеек на основе исследуемых систем материалов и приведены способы дальнейшего увеличения мощности излучения.

Толық мәтін

Рұқсат жабық

Авторлар туралы

Н. Гультиков

ООО «Сигм Плюс»

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: nikita.gultickov@yandex.ru
Ресей, Москва, ул. Введенского, 3, 117342

К. Телегин

ООО «Сигм Плюс»

Email: nikita.gultickov@yandex.ru
Ресей, Москва, ул. Введенского, 3, 117342

А. Андреев

ООО «Сигм Плюс»

Email: nikita.gultickov@yandex.ru
Ресей, Москва, ул. Введенского, 3, 117342

Л. Шестак

ООО «НПП «Инжект»

Email: nikita.gultickov@yandex.ru
Ресей, Саратов, ул. Элмашевская, 3а, 410033

В. Панарин

ООО «НПП «Инжект»

Email: nikita.gultickov@yandex.ru
Ресей, Саратов, ул. Элмашевская, 3а, 410033

М. Старынин

ООО «НПП «Инжект»

Email: nikita.gultickov@yandex.ru
Ресей, Саратов, ул. Элмашевская, 3а, 410033

А. Мармалюк

ООО «Сигм Плюс»

Email: nikita.gultickov@yandex.ru
Ресей, Москва, ул. Введенского, 3, 117342

М. Ладугин

ООО «Сигм Плюс»

Email: nikita.gultickov@yandex.ru
Ресей, Москва, ул. Введенского, 3, 117342

Әдебиет тізімі

  1. Bachmann F., Loosen P., Poprawe R. High Power Diode Lasers: Technology and Applications (New York: Springer Series in Optical Sciences, 2007).
  2. Behringer M., Eberhard F., Herrmann G., Luft J., Maric J., Morgott S., Philippens M.C., Teich W. Proc. SPIE, 4831, 4 (2003).
  3. Ладугин М.А., Коваль Ю.П., Мармалюк А.А., Петровский В.А., Багаев Т.А., Андреев А.Ю., Падалица А.А., Симаков В.А. Квантовая электроника, 43 (5), 407 (2013) [Quantum Electron., 43 (5), 407 (2013)].
  4. Knauer A., Erbert G., Staske R., Sumpf B., Wenzel H., Weyers M. Semiconductor Science and Technology, 20, 621 (2005).
  5. Garbuzov D.Z., Abeles J.H., Morris N.A., Gardner P.D., Triano A.R., Harvey M.G., Gilbert D.B., Connoly J.C. Proc. SPIE, 2682, 20 (1996).
  6. Мармалюк А.А., Ладугин М.А., Андреев А.Ю., Телегин К.Ю., Яроцкая И.В., Мешков А.С., Коняев В.П., Сапожников С.М., Лебедева Е.И., Симаков В.А. Квантовая электроника, 43 (10), 895 (2013) [Quantum Electron., 43 (10), 895 (2013)].
  7. Мармалюк А.А., Андреев А.Ю., Коняев В.П., Ладугин М.А., Лебедева Е.И., Мешков А.С., Морозюк А.Н., Сапожников С.М., Данилов А.И., Симаков В.А., Телегин К.Ю., Яроцкая И.В. ФТП, 48 (1), 120 (2014).
  8. Тер-Мартиросян А.Л., Свердлов М.А., Родин C.Н., Пихтин Н.А. Фотоника, 13 (5), 486 (2019).
  9. Hülsewede R., Schulze H., Sebastian J., Schröder D., Meusel J., Hennig P. Proc. SPIE, 6456, 645607 (2007).
  10. Morales J., Lehkonen S., Liu G., Schleuning D., Acklin B. Proc. SPIE, 9733, 97330T (2016).
  11. Fan Yang, Gangming Liu, Cunxue Wu, Zhiwan Yan. Proc. SPIE, 11562, 115621C (2020).
  12. Stringfellow G.B. Organometallic Vapor-Phase Epitaxy: Theory and Practice (San Diego: Academic Press, 1999).
  13. Adachi S. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III–V and II–VI Semiconductors (Chichester: John Wiley & Sons, 2009).
  14. Chand N., Chu S.N.G., Dutta N.K., Lopata J., et al. IEEE J. Quantum Electron., 30, 424 (1994).
  15. Алферов Ж.И., Кацавец Н.И., Петриков В.Д., Тарасов И.С., Халфин В.Б. ФТП, 30, 474 (1996).
  16. Ueda O., Pearton S.J. (Eds) Materials and Reliability Handbook for Semiconductor Optical and Electron Devices (New York: Springer Science + Business Media, 2013).
  17. Ling Bao, Jun Wang, Mark Devito, Dapeng Xu, Mike Grimshaw, Weimin Dong, Xingguo Guan, Hua Huang, Paul Leisher, Shiguo Zhang, Damian Wise, Rob Martinsen, Jim Haden. Proc. SPIE, 7953, 79531B (2011).
  18. Eliseev P.G. Progress in Quantum Electron., 20 (1), 1 (1996).
  19. Moison J.M., Guille C., Houzay F., Barthe F., Van Rompay M. Phys. Rev., B40 (9), 6149 (1989).
  20. Prost W., Scheffer F., Liu Q., Lindner A., Lakner H., Gyuro I., Tegude F.J. J. Cryst. Growth, 146, 538 (1995).
  21. Philips B.A., Norman A.G., Seong T.Y., Mahajan S., Booker G.R., Skowronski M., Harbison J.P., Keramidas V.G. J. Cryst. Growth, 140, 249 (1994).
  22. Дегтярева Н.С., Кондаков С.А., Микаелян Г.Т., Горлачук П.В., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Рябоштан Ю.Л., Яроцкая И.В. Квантовая электроника, 43 (6), 509 (2013) [Quantum Electron, 43 (6), 509 (2013)].
  23. Viswanath A.K. Handbook of Surfaces and Interfaces of Materials, Volume 1: Surface and Interface Phenomena. Ed. by H.S. Nalwa (San Diego: Academic Press, 2001).
  24. Pearton S.J., Ren F., Hobson W.S., Abernathye C.R., Chakrabarti U.K. J. Vac. Sci. Technol. B, 12 (1), 142 (1994).
  25. Кейси Х., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981, т. 1).
  26. Ziegler M., Talalaev V., Tomm J.W., Elsaesser Th., Ressel P., Sumpf B., Erbert G. Appl. Phys. Lett., 92, 203506 (2008).
  27. Tomm J.W., Ziegler M., Hempel M., Elsaesser T., Tomm J.W. Laser Photonics Rev., 5 (3), 422 (2011).
  28. Алферов Ж.И., Кацавец Н.И., Петриков В.Д., Тарасов И.С., Халфин В.Б. ФТП, 30 (3), 475 (1995).
  29. Nakwaski W. J. Appl. Phys., 67, 1659 (1990).
  30. Ладугин М.А., Гультиков Н.В., Мармалюк А.А., Коняев В.П., Соловьева А.В., Квантовая электроника, 49 (10), 905 (2019) [Quantum Electron., 49 (10), 905 (2019)].
  31. Yoo J.S., Lee H.H., Zory P.S. IEEE Photonics Technol. Lett., 3 (7), 594 (1991).
  32. Демидов Д.М., Тер-Мартиросян А.Л., Булашевич К.А., Хохлев О.В., Карпов С.Ю. Научное приборостроение, 23 (2), 129 (2013).
  33. Wenzel H., Crump P., Pietrzak A., Wang X., Erbert G., Tränkle G. New J. Phys., 12, 085007 (2010).

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу
2. Fig.1. Designs of the studied AlGaAs/GaAs (a) and GaAsP/GaInP (b) heterostructures.

Жүктеу (87KB)
Метадеректер
3. Fig.2. Envelopes of emission spectra for a 5 mm long LLD based on a system with aluminum and a system without aluminum at 25 °C and 55 °C.

Жүктеу (152KB)
Метадеректер
4. Fig.3. Watt-ampere characteristics in quasi-continuous pumping mode (25 Hz, 250 μs) of a 5 mm long LLD without thermal stabilization (a) and a 10 mm long LLD with heat sink temperature stabilization at 25 °C (b).

Жүктеу (137KB)
Метадеректер
5. Fig.4. Current-voltage characteristics in quasi-continuous pumping mode (25 Hz, 250 μs) of a 5 mm long LLD without thermal stabilization.

Жүктеу (64KB)
Метадеректер
6. Fig.5. Calculated overheating curve of the LLD output mirror 5 mm long for different surface recombination rates: near the threshold current I = 17 A (a), at a pump current I = 90 A (b).

Жүктеу (78KB)
Метадеректер

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».