Influence of magnetic field on the surface structure and properties of germanium single crystals

Capa

Citar

Texto integral

Resumo

The results of experimental studies using optical profilometry and scanning probe microscopy of the structure and surface parameters of germanium single crystals exposed to an alternating magnetic field are presented. The change in parameters of surface roughness and relief of single crystals after treatment by magnetic field was found. Using optical spectroscopy, a decrease in transmittance in the range of 1.8—23 μm was established, due to the influence of an alternating magnetic field, leading to a change in the surface topography.

Sobre autores

K. Marinicheva

Tver State University

Email: Ivanova.AI@tversu.ru
Rússia, Tver

A. Ivanova

Tver State University

Autor responsável pela correspondência
Email: Ivanova.AI@tversu.ru
Rússia, Tver

I. Kaplunov

Tver State University

Email: Ivanova.AI@tversu.ru
Rússia, Tver

K. Egorova

Tver State University

Email: Ivanova.AI@tversu.ru
Rússia, Tver

S. Tretiakov

Tver State University

Email: Ivanova.AI@tversu.ru
Rússia, Tver

E. Barabanova

Tver State University

Email: Ivanova.AI@tversu.ru
Rússia, Tver

P. Rakunov

Tver State University

Email: Ivanova.AI@tversu.ru
Rússia, Tver

Bibliografia

  1. Alshits V.I., Darinskaya E.V., Koldaev M.V., Petrzhik E.A. // Dislocations in Solids. V. 14. Amsterdam: Elsevier, 2008. P. 333.
  2. Югова Т.Г., Белов А. Г., Князев С.Н. // Кристаллография. 2020. Т. 65. № 1. С. 11; Yugova T. G., Belov A.G., Knyazev S.N. // Crystallogr. Rep. 2020. V. 65. No. 1. P. 7.
  3. Левин М.Н., Постников В.В., Палагин М.Ю., Косцов А.М. // ФТТ. 2003. Т. 45. № 3. С. 513; Levin M.N., Postnikov V.V., Palagin M.Y., Kostsov A.M. // Phys. Solid State. 2003. V. 45. No. 3. P. 542.
  4. Гриднев С.А., Дрождин К.С., Шмыков В.В. // Кристаллография. 1997. Т. 42. № 6. С. 1135; Gridnev S.A., Drozhdin K.S., Shmykov V.V. // Crystallogr. Rep. 1997. V. 42. No. 6. P. 1058.
  5. Постников В.В. Фазовые и структурные превращения в диамагнитных материалах после воздействия слабых магнитных полей. Дисс. … доктора физ.-мат. наук. Воронеж: Воронежский гос. ун-т, 2004. 338 с.
  6. Волчков И.С., Ополченцев А.М., Павлюк М.Д., Каневский В.М. // Кристаллография. 2018. Т. 63. № 5. C. 746; Volchkov I.S., Opolchentsev A.M., Pavlyuk M.D., Kanevsky V.M. // Crystallogr. Rep. 2018. V. 63. No. 5. P. 765.
  7. Левин М.Н., Татаринцев А.В., Косцова О.А., Косцов А.М. // Журн. технич. физики. 2003. Т. 73. № 10. С. 85; Levin M.N., Tatarintsev A.V., Kostsova O.A., Kostsov A.M. // Tech. Phys. 2003. V. 48. No. 10. P. 1304.
  8. Макара В.А., Васильев М.А., Стебленко Л.П. и др. // Физ. и техн. полупроводн. 2008. Т. 42. № 9. С. 1061; Makara V.A., Vasiliev M.A., Steblenko L.P. // Semiconductors. 2008. V. 42. P. 1044.
  9. Левин М.Н., Зон Б.А. // ЖЭТФ. 1997. Т. 111. № 4. С. 1373; Levin M.N., Zon B.A. // JETP. 1997. V. 84. P. 760.
  10. Гречкина М.В., Бормонтов Е.Н. // Конден. среды и межфаз. границы. 2017. Т. 19. № 1. С. 133.
  11. Иванова А.И., Свешников П.А., Мариничева К.А. и др. // Физ.-хим. асп. изуч. кластер. нанострукт. и наноматер. 2022. № 14. С. 120.
  12. Каплунов И.А., Рогалин В.Е // Фотоника. 2019. Т. 13. № 1. С. 88.
  13. Малышкина О.В., Каплунов И.А., Гавалян М.Ю. // Изв. РАН. Сер. физ. 2016. Т. 80. № 8. С. 1104; Malyshkina O.V., Kaplunov I.A., Ghavalyan M.Y. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2016. V. 80. No. 8. P. 1013.
  14. Калинушкин В.П. // Труды ИОФ РАН. 1986. Т. 4. С. 3.

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML

Declaração de direitos autorais © Russian Academy of Sciences, 2024

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).