Changes in the kinetic characteristics of free charge carriers in a narrow-gap semiconductor Pb_{1 – x}Gd_xTe under the influence of electron paramagnetic resonance processes of Gd³⁺ ions - PDF (俄语)

Согласие на обработку персональных данных

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).