Вклад состояний на интерфейсах в терагерцовую фотопроводимость в структурах на основе Hg1 – xCdxTe с инверсным спектром - PDF (Русский)


© А.С. Казаков, А.В. Галеева, А.И. Артамкин, А.В. Иконников, С.Н. Чмырь, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.И. Банников, С.Н. Данилов, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов, 2023

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).