Контакты для термоэлементов с барьерными слоями на основе вольфрама

封面

如何引用文章

全文:

详细

Предложен способ получения контактов на основе W–Ni и W–Co, выполняющих функции диффузионно-барьерных слоев в конструкции термоэлементов. Контакты сформированы электрохимическим осаждением пленок W–Ni и W–Co на образцах наноструктурированных термоэлектрических материалов на основе Bi2Te2.4Se0.6, Bi0.4Sb1.6Te3, GeTe и PbTe, используемых для изготовления термоэлементов. Получены пленки толщиной до 15 мкм с разбросом по толщине не более 5%. Содержание вольфрама в составе пленок W–Ni составило 33.5 мас%, в пленках W–Co — 29.7 мас%. Удельное сопротивление и удельное контактное сопротивление пленок составило 3.4∙10–7 Ом∙м и 3.8∙10–9 Ом∙м2 соответственно. Адгезионная прочность пленок составляет 10−13 МПа. Установлено, что контакты, сформированные на образцах термоэлектрических материалов электрохимическим осаждением пленок на основе W–Co, могут быть использованы в конструкции термоэлементов с рабочими температурами до 900 K.

全文:

Сдерживающим фактором широкого применения термоэлектрических генераторов является их низкий коэффициент полезного действия, определяемый в основном эффективностью термоэлементов. Эффективность может быть увеличена за счет повышения термоэлектрической добротности термоэлектрических материалов, из которых изготовляются термоэлементы [1, 2]. Также для увеличения коэффициента полезного действия может быть увеличена разность температур между горячими и холодными спаями термоэлементов, что повлечет за собой расширение интервала их рабочих температур.

В настоящее время разработаны термоэлектрические материалы, которые могут быть использованы для создания термоэлементов с рабочими температурами 200–1200 K [3, 4]. Следует, однако, отметить, что для всех термоэлектрических материалов добротность имеет существенную температурную зависимость с наличием достаточно резкого максимума при определенных температурах. Таким образом, максимальные значения добротности термоэлектрических материалов наблюдаются в узком интервале температур. В связи с этим для создания эффективных термоэлементов, работающих в широком интервале температур, необходимо использовать несколько различных термоэлектрических материалов. Реализовать это можно с помощью создания многосекционных ветвей в термоэлементах. Каждая секция работает в определенном интервале температур и изготавливается из термоэлектрических материалов, имеющих максимальную добротность в этом интервале температур [5, 6].

Важной задачей при изготовлении эффективных многосекционных термоэлементов является обеспечение высококачественной коммутации секций в ветвях термоэлементов с помощью контактных систем. Структура контактных систем должна обеспечивать высокую адгезию и омический контакт с термоэлектрическим материалом, а также устранять взаимную диффузию материалов контакта и соединяемых термоэлектрических материалов при повышенных температурах, что определяет барьерные свойства контакта [7–9].

В термоэлементах с рабочими температурами до 500 K контактная система может представлять собой однослойную структуру. В качестве контактного и одновременно барьерного слоя используется Ni, пленки которого получают вакуумным напылением [7, 8]. Однако проведенные нами исследования показали, что при температурах выше 580 K никелевые контакты перестают выполнять функции диффузионно-барьерных слоев, в этом случае необходимо использовать многослойные контактные системы [7].

Для реализации основных способов соединения ветвей с коммутирующей шиной и секций в многосекционном термоэлементе, например, пайкой или с помощью эвтектических сплавов при высоких температурах требуется повышенная толщина пленочного контакта. Как показали эксперименты, для предотвращения разрушения материала контакта в процессе коммутации его толщина должна быть больше 5 мкм [9]. Удельное сопротивление контактов должно быть не больше сопротивления материалов, используемых для коммутации в структуре термоэлемента, как правило, эта величина составляет ~10–7 Ом∙м.

Использование толстопленочных контактов позволяет также увеличить барьерные свойства, определяющие способность контактов устранять взаимную диффузию материала контакта и соединяемых термоэлектрических материалов при повышенных температурах [9]. Эффективным способом формирования толстопленочных контактов является электрохимическое осаждение металлов и их сплавов. Электрохимическое осаждение чистых пленок W возможно только из высокотемпературных солевых расплавов, например на основе NaCl и KCl, при температурах 1200–1500 K.1 Однако такие температуры не позволяют использовать данный способ при формировании диффузионно-барьерных слоев на образцах термоэлектрических материалов на основе Bi2Te3–xSex, BixSb2–xTe3, GeTe и PbTe, которые являются наиболее эффективными в интервале температур до 900 K [5].

При электрохимическом осаждении из электролитов с органическими растворителями, например, на основе формамида и диметилсульфоксида образуются толстые пленки W с существенным содержанием оксидных соединений [10], характеризующиеся высоким электрическим сопротивлением, что неприемлемо для контактов. Решением указанной проблемы является электрохимическое осаждение слоев, содержащих кроме тугоплавких металлов, в нашем случае W, другие металлы, например Ni или Co [11]. Использование W при изготовлении контактов определяется его низким удельным сопротивлением (5.5∙10–8 Ом·м). Кроме того, W имеет высокий атомный вес и низкий коэффициент диффузии 10–12 см2∙с–1. Эти параметры определяют его использование в качестве материала диффузионно-барьерных слоев в структуре контактов.

Цель работы — получение и исследование контактов, формируемых электрохимическим осаждением сплавов W на образцы термоэлектрических материалов.

Экспериментальная часть

Контакты формировали на образцах наноструктурированных твердых растворов Bi0.4Sb1.6Te3 (0.14 мас% PbCl2 и 1.80 мас% Te), Bi2Te2.4Se0.6 (0.16 мас% CuBr), GeTe (7.2 мас% Bi) и PbTe (0.3 мас% PbI2 и 0.3 мас% Ni), полученных в [5] искровым плазменным спеканием нанодисперсных порошков этих материалов. Указанные твердые растворы имеют высокую термоэлектрическую добротность, Bi2Te3–xSex и BixSb2–xTe3 используются для изготовления ветвей термоэлементов с рабочими температурами до 600 K, а GeTe и PbTe — до 900 K [5, 12].

Существенное влияние на качество контактов оказывает состояние поверхности образцов термоэлектрических материалов [8, 9]. В связи c этим подготовке поверхности образцов в данной работе уделялось повышенное внимание. После механической безабразивной обработки поверхности образцов, перед электрохимическим осаждением, проводили ее декапирование в течение 3 мин в одном из растворов, содержащих 20% HNO3 (х.ч., Merck KGaA), 30% NaOH (ч.д.а., AppliChem GmbH) или 30% CH3COOH (х.ч., Clearsynth labs LTD).

Электрохимическое осаждение пленок проводили в электролитах, состав которых представлен в табл. 1. Осаждение W–Ni из электролита № 1 проводили при pH 8.5, температуре 363 K, токе 20 А∙дм–2, в течение 30 мин. Режим осаждения W–Co из электролита № 2: pH 12–14, температура 328 K, ток 8–12 А∙дм–2, время 30 мин.

Исследование элементного состава пленок проводили на растровом электронном микроскопе JSM 6010 PLUS/LA (JEOL), снабженном приставкой для энергодисперсионной спектрометрии INCA ENERGY Dry Cool (Oxford Instruments). Перед исследованием поверхности пленок образцы термоэлектрических материалов со сформированными пленками промывали в ацетоне (х.ч., ООО ТД «ХИММЕД») с последующей сушкой в потоке N2 (ос.ч., ООО «Фирма «ХОРСТ»). После чего образцы помещали в рабочую камеру микроскопа. Исследование образцов проводили в вакууме, при давлении менее 10–4 Па. Изображение поверхности пленки получали с помощью детектора вторичных электронов при ускоряющем напряжении 20 кВ. Для определения толщины пленок на образцах формировали скол и проводили исследование боковой поверхности с помощью растрового электронного микроскопа.

 

Таблица 1. Составы растворов электролитов, использованных для электрохимического осаждения пленок сплавов W–Ni и W–Co

Компонент

Производитель

Электролит № 1

Электролит № 2

NiSO4·7H2O (ч.)

Honeywell International Inc.

13 г·л–1

CoSO4·7H2O (ч.)

Acros Organics B.V.B.A.

10 г·л–1

Na2WO4 (ч.)

Clearsynth labs LTD

68 г·л–1

60 г·л–1

Na3C6H5O7 (ч.д.а.)

Clearsynth labs LTD

200 г·л–1

NH4Cl (ос.ч.)

Clearsynth labs LTD

50 г·л–1

(NH4)2SO4 (ч.)

Acros Organics B.V.B.A.

250 г·л–1

NH4OH (ч.), 25%

ООО «АЛЬДОСА»

120 мл·л–1

NaOH (ч.д.а.)

AppliChem GmbH

18 г·л–1

Примечание. «—» — отсутствие компонента.

 

Измерение адгезионной прочности пленок проводили с помощью метода прямого отрыва на установке Force Gauge PCE-FM50 (PCE Instruments). С целью оптимизации процесса измерения с помощью фотолитографии на пленке формировали контактные площадки размером 1 мм2. Адгезионную прочность определяли в значениях усилия отрыва на единицу площади (Па). Погрешность измерения адгезионной прочности не превышала 5%.

Определение удельного электрического сопротивления сформированных электрохимическим осаждением пленок проводили следующим образом. Измеряли поверхностное сопротивление пленок четырехзондовым методом на установке RM3000 (Jandel) с относительной погрешностью 0.3%. Затем определяли удельное сопротивление по формуле

ρ=Rsh,   (1)

где ρ — удельное сопротивление, Rs — поверхностное сопротивление, h — толщина пленки.

Толщину пленки измеряли на контактном профилометре Tencor P-7 (KLA Instruments). Для этой цели с помощью фотолитографии на пленке формировали ступеньку. Толщину пленки определяли с погрешностью, не превышающей 10%.

Для определения удельного контактного сопротивления пленок, сформированных на образцах термоэлектрических материалов, использовали методику и измерительный стенд, разработанные авторами [13]. Методика позволяет проводить измерение контактного сопротивления с разрешением 10–10 Ом·м2.

Исследование диффузионно-барьерных свойств пленок W–Co, сформированных на образцах Bi0.4Sb1.6Te3, проводили после их отжига при температуре 600 K. Пленки W–Co, сформированные на образцах GeTe, отжигали при температуре 900 K.

Для определения барьерных свойств на пленки W–Co, сформированные на образцах Bi0.4Sb1.6Te3, наносили оловянный припой с использованием слабоактивного флюса [3% NH4Cl ос.ч. (Clearsynth labs LTD) в глицерине х.ч. (AppliChem GmbH)]. Данную структуру отжигали в термокамере в течение 5 ч при температуре 600 K.

Обсуждение результатов

Морфология поверхности и структура пленок W–Ni и W–Co, сформированных на образцах термоэлектрических материалов Bi0.4Sb1.6Te3, Bi2Te2.4Se0.6, GeTe и PbTe, была сходной. Поэтому далее, как пример, представлены пленки W–Ni и W–Co, сформированные на некоторых из указанных термоэлектрических материалов. На рис. 1 представлено изображение поверхности пленок W–Ni и W–Co, полученных на образцах GeTe.

 

Рис. 1. Изображение поверхности пленок W–Ni (а) и W–Co (б), полученных на образцах GeTe.

 

Значения толщины пленок W–Ni и W–Co практически не различались по поверхности всего образца, разброс по толщине не превышал 10%.

При исследованиях скола образцов GeTe со сформированной пленкой W–Ni толщиной 1.5 мкм в пленке обнаружены поры. Наличие пор в пленке W–Ni не позволяет использовать ее в качестве диффузионно-барьерного слоя в структуре контактной системы, так как через поры происходит взаимная диффузия компонентов термоэлектрического материала на поверхность пленки W–Ni и компонентов материала коммутационного слоя, формируемого впоследствии на пленке W–Ni, например Sn, в термоэлектрический материал. Взаимная диффузия компонентов приводит в первом случае к увеличению электрического сопротивления контакта, во втором — к изменению параметров термоэлектрического материала.

В пленках W–Co пор не обнаружено, что позволяет использовать эти пленки в качестве диффузионно-барьерного слоя в структуре контакта. В связи с этим адгезионную прочность, удельное контактное сопротивление и барьерные свойства исследовали только пленок W–Co.

В результате энергодисперсионного анализа элементного состава пленок W–Ni и W–Co, полученных на образцах термоэлектрических материалов на основе GeTe (рис. 2, табл. 2), установлено наличие большего количества углерода в пленке W–Ni. Это связано с использованием цитратного лиганда для осаждения W–Ni, который попадал в поры, содержащиеся в пленке W–Ni, что затрудняло его удаление при промывании образцов. При получении пленок W–Co такой проблемы не было, так как цитратный лиганд при их осаждении не использовался. Кроме того, в этой пленке не было пор, что позволяло проводить эффективную очистку образцов.

 

Рис. 2. Энергодисперсионная диаграмма состава пленок сплавов W–Ni (а) и W–Co (б), полученных на образцах GeTe.

 

Таблица 2. Элементный состав пленок, полученных на образцах GeTe

W–Ni

W–Co

элемент

мас%

ат%

элемент

мас%

ат%

C

4.7

23.9

C

1.5

8.3

Ni

61.8

64.9

Co

68.1

77.9

W

33.5

11.2

W

29.7

10.9

O

0.7

2.9

Примечание. «—» — отсутствие компонента.

 

Толщина пленки W–Co составила 15.2 мкм (рис. 3) после электрохимического осаждения в течение 30 мин. На пленке W–Co сформирован слой Sn толщиной порядка 35 мкм.

В результате исследований с использованием поэлементного картирования скола образца термоэлектрического материала Bi0.4Sb1.6Te3 (рис. 4) установлено, что после термической обработки Co частично продиффундировал в пленку оловянного припоя. В то же время диффузии Sn в термоэлектрический материал не произошло. Концентрация Sn максимальная в пленке припоя. Олово в образце термоэлектрического материала отсутствует (рис. 4). Увеличение времени отжига не влияло на барьерные свойства контакта, барьерный слой W–Co блокировал проникновение Sn в термоэлектрический материал. В связи с этим в области контакта при повышенных температурах параметры термоэлектрического материала не изменялись.

 

Рис. 3. Изображение скола образца Bi0.4Sb1.6Te3 с нанесенной контактной системой W–Co/Sn после отжига при 600 K.

 

Рис. 4. Поэлементное картирование скола образцов Bi0.4Sb1.6Te3 и GeTe со сформированной контактной системой W–Co/Sn после отжига при 600 и 900 K.

 

Барьерные свойства пленок W–Сo, сформированных на образцах GeTe (рис. 4), исследовали после отжига образцов при 900 K в течение 5 ч. Отжиг не повлиял на барьерные свойства контакта, т. е. взаимной диффузии компонентов материала контактной системы W–Co/Sn в образец GeTe и компонентов термоэлектрического материала в контактную систему не наблюдали, что подтверждается энергодисперсионным анализом. Таким образом, можно утверждать, что сформированные пленки W–Сo выполняли функции диффузионных барьеров при температурах до 600 K в контактах, сформированных на образцах Bi0.4Sb1.6Te3, до 900 K в контактах на образцах GeTe.

Пленки W–Co формировали на образцах термоэлектрических материалов, поверхность которых декапировали в различных растворах. Для каждого термоэлектрического материала установлен состав растворов, при декапировании которым получены максимальные значения адгезионной прочности пленок W–Cо (табл. 3). Адгезионная прочность пленок W–Co не изменялась после термообработки.

 

Таблица 3. Значения адгезионной прочности пленок W–Co, сформированных на образцах термоэлектрических материалов Bi0.4Sb1.6Te3, GeTe, PbTe

Состав раствора для декапирования поверхности образцов

Адгезионная прочность, МПа

Bi0.4Sb1.6Te3

GeTe

PbTe

20% HNO3

10.78

1.05

5.43

30% NaOH

2.43

13.35

1.78

30% CH3COOH

9.33

2.57

12.49

 

Удельное сопротивление пленок W–Cо составляло (3.3–3.5)∙10–7 Ом∙м, удельное контактное сопротивление не превышало 3.8∙10–9 Ом∙м2 для всех пленок, сформированных на образцах термоэлектрических материалов Bi0.4Sb1.6Te3, GeTe, PbTe.

Выводы

Установлены условия, при которых могут быть получены равномерные по толщине пленки W–Ni и W–Co на образцах термоэлектрических материалов на основе Bi2Te2.4Se0.6, Bi0.4Sb1.6Te3, GeTe и PbTe. Пленки W–Co после термического воздействия обладают барьерными свойствами, т. е. предотвращают взаимную диффузию компонентов материалов контактных систем в образцы термоэлектрических материалов и компонентов термоэлектрического материала в контактные системы, имеют низкие значения удельного сопротивления и удельного контактного сопротивления, а также высокую адгезионную прочность, что удовлетворяет требованиям, предъявляемым к контактам в структуре термоэлементов. Сформированные контакты могут быть использованы в термоэлементах с рабочими температурами до 900 K.

Перспективой дальнейших исследований является увеличение содержания W в контактных пленках, что может привести к увеличению их барьерных свойств и позволит использовать контакты в термоэлементах, изготовленных на основе SiGe, с рабочими температурами до 1200 K.

Финансирование работы

Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (проект № 20-19-00494).

Конфликт интересов

Авторы заявляют, что у них нет конфликта интересов, требующего раскрытия в данной статье.

Информация о вкладе авторов

Е. П. Корчагин — определение режимов и составов раствора электролита, проведение процесса электрохимического осаждения пленок; Ю. И. Штерн — обоснование выбора материалов, используемых для изготовления контактов, определение диффузионно-барьерных свойств контактов; И. Н. Петухов — разработка способов подготовки поверхности образцов термоэлектрических материалов; Д. Г. Громов —энергодисперсионный анализ элементного состава пленок; М. Ю. Штерн — определение электрофизических параметров полученных пленок; М. С. Рогачев — измерение адгезионной прочности контактов; Р. М. Рязанов — исследование состава и морфологии поверхности пленок.

 

1 Ажогин Ф. Ф. Гальванотехника. Справочник. М.: Металлургия, 1987. C. 314–317.

×

作者简介

Егор Корчагин

Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»

编辑信件的主要联系方式.
Email: eg.ad2013@yandex.ru
ORCID iD: 0000-0002-5618-0608
俄罗斯联邦, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1

Юрий Штерн

Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»

Email: eg.ad2013@yandex.ru
ORCID iD: 0000-0003-3882-389X

д.т.н.

俄罗斯联邦, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1

Иван Петухов

Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»

Email: eg.ad2013@yandex.ru
ORCID iD: 0000-0002-2905-4649
俄罗斯联邦, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1

Дмитрий Громов

Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»

Email: eg.ad2013@yandex.ru
ORCID iD: 0000-0002-4563-9831

д.т.н.

俄罗斯联邦, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1

Максим Штерн

Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»

Email: eg.ad2013@yandex.ru
ORCID iD: 0000-0002-0279-2393

д.т.н.

俄罗斯联邦, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1

Максим Рогачев

Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»

Email: eg.ad2013@yandex.ru
ORCID iD: 0000-0001-5108-0555

к.т.н.

俄罗斯联邦, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1

Роман Рязанов

Научно-производственный комплекс «Технологический центр»

Email: eg.ad2013@yandex.ru
ORCID iD: 0000-0002-2464-8712
俄罗斯联邦, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1

参考

  1. Wu D., Feng D., Xu X., He M., Xu J., He J. Realizing high figure of merit plateau in Ge1–xBixTe via enhanced Bi solution and Ge precipitation // J. Alloys Compd. 2019. V. 805. P 831−839. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.07.120
  2. Lee K. H., Shin W. H., Kim H.-S., Lee K., Roh J. W., Yoo J., Kim J.-I., Kim S. W., Kim S.-I. Synergetic effect of grain size reduction on electronic and thermal transport properties by selectively-suppressed minority carrier mobility and enhanced boundary scattering in Bi0.5Sb1.5Te3 alloys // Scr. Mater. 2019. V. 160. N 15. P. 1519. https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2018.09.038
  3. Vishwakarma A., Chauhan N. S., Bhardwaj R., Johari K. K., Dhakate S. R., Gahtori B., Bathula S. Melt-spun SiGe nano-alloys: Microstructural engineering towards high thermoelectric efficiency // J. Electron. Mater. 2021. V. 50. P. 364−374. https://doi.org/10.1007/s11664-020-08560-6
  4. Yang Z., Wang S., Sun Y., Xiao Y., Zhao L.-D. Enhancing thermoelectric performance of n-type PbTe through separately optimizing phonon and charge transport properties // J. Alloys Compd. 2020. V. 828. ID 154377. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.154377
  5. Shtern M. Yu. Nanostructured thermoelectric materials for temperatures of 200–1200 K obtained by spark plasma sintering // Semiconductors. 2023. V. 56. N 13. P. 437–443. https://doi.org/10.1134/S1063782622130152
  6. Yu Y., Xu X., Bosman M., Nielsch K., He J. Germanium-telluride-based thermoelectrics // Nat. Rev. Electr. Eng. 2024. https://doi.org/10.1038/s44287-023-00013-6
  7. Shtern M., Rogachev M., Shtern Y., Gromov D., Kozlov A., Karavaev I. Thin-film contact systems for thermocouples operating in a wide temperature range // J. Alloys Compd. 2021. V. 852. ID 156889. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.156889
  8. Zhu X., Cao L., Zhu W., Deng Y. Enhanced interfacial adhesion and thermal stability in bismuth telluride/nickel/copper multilayer films with low electrical contact resistance // Adv. Mater. Interfaces. 2018. V. 5. ID 1801279. https://doi.org/10.1002/admi.201801279
  9. Korchagin E., Shtern M., Petukhov I., Shtern Y., Rogachev M., Kozlov A., Mustafoev B. Contacts to thermoelectric materials obtained by chemical and electrochemical deposition of Ni and Co // J. Electron. Mater. 2022. V. 51. P. 5744–5758. https://doi.org/10.1007/s11664-022-09860-9
  10. Фиалков Ю. Я., Грищенко В. Ф. Электровыделение металлов из неводных растворов. Киев: Наук. думка, 1985. C. 95–97.
  11. Asgari M., Ghasem B., Monirvaghefi M. Electroless deposition of Ni–W–Mo–Co–P films as a binder-free, efficient and durable electrode for electrochemical hydrogen evolution // Electrochim. Acta. 2023. V. 446. ID 142001. https://doi.org/10.1016/j.electacta.2023.142001
  12. Zoui M. A., Bentouba S., Stocholm J. G., Bourouis M. A review on thermoelectric generators: Progress and applications // Energies. 2020. V. 13. N 3606. P. 1–32. 10.3390/en13143606' target='_blank'>https://doi: 10.3390/en13143606
  13. Штерн М. Ю., Караваев И. С., Рогачев М. С., Штерн Ю. И., Мустафоев Б. Р., Корчагин Е. П., Козлов А. О. Методики исследования электрического контактного сопротивления в структуре металлическая пленка–полупроводник // Физика и техника полупроводников. 2022. T. 56. № 1. C. 1097–1104. https://doi.org/10.21883/FTP.2021.12.51689.01

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML
2. Fig. 1. Image of the surface of W–Ni (a) and W–Co (b) films obtained on GeTe samples.

下载 (241KB)
3. Fig. 2. Energy dispersion diagram of the composition of films of W–Ni (a) and W–Co (b) alloys obtained on GeTe samples.

下载 (174KB)
4. Fig. 3. Image of a cleavage of a Bi0.4Sb1.6Te3 sample with a deposited W–Co/Sn contact system after annealing at 600 K.

下载 (215KB)
5. Fig. 4. Element-by-element mapping of the cleavage of Bi0.4Sb1.6Te3 and GeTe samples with the formed W–Co/Sn contact system after annealing at 600 and 900 K.

下载 (270KB)

版权所有 © Russian Academy of Sciences, 2024

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».