Отправить статью по E-mail 
ДИФФУЗИЯ АТОМОВ ВОДОРОДА ИЗ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК Si3N4 В АМОРФНЫЕ И ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ Si И Ge
- Авторы: Арапкина Л.В.1, Чиж К.В.1, Ставровский Д.Б.1, Дубков В.П.1, Сторожевых М.С.1, Юрьев В.А.1
-
Учреждения:
- Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук
- Выпуск: Том 165, № 5 (2024)
- Страницы: 647-654
- Раздел: Статьи
- URL: https://ogarev-online.ru/0044-4510/article/view/259025
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0044451024050043
- ID: 259025
Цитировать
Аннотация
Методами дифракция быстрых отраженных электронов и ИК-спектроскопии изучены поликристаллические и аморфные пленки Si и Ge, выращенные на диэлектрических подложках Si3N4/SiO2/Si(001). В ИK-спектрах наблюдается уменьшение интенсивности N–H-полос поглощения в слоях Si3N4, связанное с переходом атомов водорода в растущие пленки Si и Ge. Этот процесс начинается уже при температуре роста пленки 30◦С и усиливается с увеличением температуры роста (30–500◦С) и толщины пленок Si и Ge (50–200 нм). Рассмотрена модель, основанная на предположении, что переход атомов водорода из диэлектрического слоя Si3N4 в растущую пленку Si или Ge контролируется разницей в положении уровней химического потенциала атомов водорода в них и не связан с термодиффузией. Процесс происходит только во время роста слоев Si и Ge и прекращается с его остановкой и с выравниванием уровней химического потенциала.
Об авторах
Л. В. Арапкина
Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук
Email: arapkina@kapella.gpi.ru
Россия, Москва
К. В. Чиж
Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук
Email: arapkina@kapella.gpi.ru
Россия, Москва
Д. Б. Ставровский
Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук
Email: arapkina@kapella.gpi.ru
Россия, Москва
В. П. Дубков
Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук
Email: arapkina@kapella.gpi.ru
Россия, Москва
М. С. Сторожевых
Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук
Email: arapkina@kapella.gpi.ru
Россия, Москва
В. А. Юрьев
Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук
Автор, ответственный за переписку.
Email: arapkina@kapella.gpi.ru
Россия, Москва
Список литературы
- B. J. Hallam, P. G. Hamer, A. M. C. Wenham, C. E. Chan, B. V. Stefani, and S. Wenham, Prog. Photovolt. Res. Appl. 1, 1217 (2020).
- W. Soppe, H. Rieffe, and A. Weeber, Prog. Photovolt. Res. Appl. 13, 551 (2005).
- R. S. Bonilla, B. Hoex, P. Hamer, and P. R. Wilshaw, Phys. Stat. Sol. (a) 214, 1700293 (2017).
- M. Z. Rahman, Renew. Sustain. Energy Rev. 30, 734 (2014).
- A. G. Aberle, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 65, 239 (2001).
- J. Z. Xie, S. P. Murarka, X. S. Guo, and W. A. Lanford, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 150 (1989).
- P. S. Peercy, H. J. Stein, B. L. Doyle, and S. T. Picraux, J. Electron. Mater. 8, 11 (1979).
- C. Boehme and G. Lucovsky, J. Appl. Phys. 88, 6055 (2000).
- W. Beyer, Phys. Stat. Sol. (a) 213, 1661 (2016).
- W. Beyer, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 78, 235 (2003).
- C. G. V. D. Walle and R. A. Street, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 377, 389 (1995).
- J. Robertson, Phil. Mag. B 69, 307 (1994).
- R. A. Street, Phys. Rev. B 43, 2454 (1991).
- P. V. Santos, N. M. Johnson, R. A. Street, M. Hack, R. Thompson, and C. C. Tsai, Phys. Rev. B 47, 10244 (1993).
- W. B. Jackson and C. C. Tsai, Phys. Rev. B 45, 6564 (1992).
- S. C. Deane and M. J. Powell, J. Non-Cryst. Sol. 198200, 295 (1996).
- К. В. Чиж, Л. В. Арапкина, В. П. Дубков, Д. Б. Ставровский, В. А. Юрьев, М. С. Сторожевых, Автометрия 58, 79 (2022).
- P. Paduschek and P. Eichinger, Appl. Phys. Lett. 36, 62 (1980).
- H. J. Stein, J. Electron. Mater. 5, 161 (1976).
- K.V. Chizh, L.V. Arapkina, D.B. Stavrovsky, P. I. Gaiduk, and V. A. Yuryev, Mater. Sci. Semicond. Process. 99, 78 (2019).
- L. V. Arapkina, K. V. Chizh, D. B. Stavrovskii, V. P. Dubkov, E. P. Lazareva, and V. A. Yuryev, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 230, 111231 (2021).
- M. S. Storozhevykh, V. P. Dubkov, L. V. Arapkina, K. V. Chizh, S. A. Mironov, V. A. Chapnin, and V. A. Yuryev, Proc. SPIE 10248, 102480O (2017).
- D. Davazoglou and V. E. Vamvakas, J. Electrochem. Soc. 150, F90 (2003).
- E. A. Taft, J. Electrochem. Soc. 118, 1341 (1971).
- W. Beyer, J. Herion, H. Wagner, and U. Zastrow, Phil. Mag. B 63, 269 (1991).
- A. Van Wieringen and N. Warmoltz, Physica 22, 849 (1956).
- Y. L. Huang, Y. Ma, R. Job, and A. G. Ulyashin, J. Appl. Phys. 96, 7080 (2004).
- W. Beyer, J. Non-Cryst. Sol. 198-200, 40 (1996).
Дополнительные файлы
