Galvanomagnetic and thermomagnetic phenomena in thin metal CoPt films

Capa

Citar

Texto integral

Resumo

The paper presents the results of a study of the magnetic field dependences of the Hall and Nernst–Ettingshausen coefficients in a wide temperature range of 10–370 K in a thin ferromagnetic CoPt film formed on a semi-insulating gallium arsenide substrate by electron beam evaporation in a vacuum. The presence of the dominant contribution of the anomalous component of the effects in the entire investigated temperature range is shown. The experimentally obtained temperature dependences of the amplitude of the effects are presented, and they are compared with the theoretical model.

Sobre autores

Yurii Kuznetsov

National Research Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod; Scientific-Research Physicotechnical Institute at the Nizhnii Novgorod State University

ORCID ID: 0000-0001-9450-8953
Código SPIN: 5205-9852
Scopus Author ID: 57197810260
Researcher ID: AAS-1825-2020
without scientific degree, no status

Mikhail Dorokhin

Scientific-Research Physicotechnical Institute at the Nizhnii Novgorod State University

Doctor of physico-mathematical sciences, Associate professor

Anton Zdoroveyshchev

Scientific-Research Physicotechnical Institute at the Nizhnii Novgorod State University

Candidate of physico-mathematical sciences

Alexey Kudrin

National Research Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod; Scientific-Research Physicotechnical Institute at the Nizhnii Novgorod State University

Polina Demina

Scientific-Research Physicotechnical Institute at the Nizhnii Novgorod State University

Daniil Zdoroveishchev

National Research Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod; Scientific-Research Physicotechnical Institute at the Nizhnii Novgorod State University

Bibliografia

  1. Алисултанов З. З., Письма в ЖЭТФ, 99 (2014), 813
  2. Коломоец Н. В., Лаптев С. А., Рогачева Е. И., Физика и техника полупроводников, 20 (1986), 447
  3. Житинская М. К., Немов С. А., Иванова Л. Д., Физика твердого тела, 44 (2002), 41
  4. Wu H. et al., J. Magn. Magn. Mater., 441 (2017), 149
  5. Park G.-H. et al., Phys. Rev. B, 101 (2020), 060406
  6. Kuznetsov Y. et al., J. Phys. Conf. Ser., 1695 (2020), 012145
  7. Ramos R. et al., Phys. Rev. B, 90 (2014), 054422
  8. Xu J., Phelan W. A., Chien C.-L., Nano Lett., 19 (2019), 8250
  9. Ranjbar B., Mehrpooya M., Marefati M., Renewable Energy, 164 (2021), 194
  10. Ren W. et al., Sci. Adv., 2021, 0586
  11. Kuznetsov Yu. et al., AIP Adv., 10 (2020), 065219
  12. Sakuraba Y., Scr. Mater., 111 (2016), 29
  13. Mizuguchi M., Nakatsuji S., Sci. Technol. Adv. Mater., 20:1 (2019), 262
  14. Ikhlas M. et al., Nat. Phys., 13 (2017), 1085
  15. Cohn J. L. et al., Phys. Rev. Lett., 108 (2012), 056604
  16. Mizuguchi M. et al., Appl. Phys. Express, 5 (2012), 093002
  17. Sakuraba Y. et al., Appl. Phys. Express, 6 (2013), 033003
  18. Здоровейщев А. В. и др., Физика и техника полупроводников, 49 (2015), 1649
  19. Сапожников М. В. и др., Письма в ЖЭТФ, 107 (2018), 378
  20. Nagaosa N. et al., Rev. Mod. Phys., 82 (2010), 1539
  21. Кондорский Е. И., ЖЭТФ, 46 (1964), 2085
  22. Кондорский Е. И., Черемушкина А. В., Курбаниязов Н., Физика твердого тела, 6 (1964), 539
  23. Черноглазов К. Ю. и др., Письма в ЖЭТФ, 103 (2016), 539
  24. Николаев С. Н. и др., Письма в ЖЭТФ, 89 (2009), 707
  25. Taylor G. R., Isin A., Coleman R. V., Phys. Rev., 165 (1968), 621
  26. Kudrin A. V. et al., Phys. Rev. B, 90 (2014), 024415
  27. Nadtochiy A. et al., Sci. Rep., 9 (2019), 16335
  28. Шалимова К. В., Физика полупроводников, Лань, СПб., 2010
  29. Арсеньева А. Д. и др., Физика твердого тела, 33 (1991), 1443
  30. Цидильковский И. М., Термомагнитные явления в полупроводниках, ГИФМЛ, М., 1960
  31. Behnia K., Aubin H., Rep. Prog. Phys., 79 (2016), 046502
  32. Kuznetsov Yu. M. et al., J. Phys. Conf. Ser., 933 (2018), 012015
  33. Аронзон Б. А. и др., Физика твердого тела, 49:1 (2007), 165
  34. Кусраев Ю. Г., УФН, 180 (2010), 759
  35. Isasa M. et al., Phys. Rev. B, 91 (2015), 024402
  36. Sasaki T. et al., Appl. Phys. Lett., 96 (2010), 122101
  37. Yakata S. et al., Jpn. J. Appl. Phys., 45 (2006), 3892
  38. Кондорский Е. И., ЖЭТФ, 48 (1965), 506
  39. Berger L., Phys. Rev. B, 5 (1972), 1862
  40. Кондорский Е. И. и др., Письма в ЖЭТФ, 10 (1969), 78
  41. Кондорский Е. М., ЖЭТФ, 55 (1968), 558
  42. Reichlova H. et al., Appl. Phys. Lett., 113 (2018), 212405
  43. Xu J., Phelan W. A., Chien C.-L., Nano Lett., 19 (2019), 8250
  44. Guo G.-Y., Wang T.-C., Phys. Rev. B, 96 (2017), 224415
  45. Здоровейщев А. В. и др., Физика твердого тела, 58 (2016), 2186
  46. Калентьева И. Л. и др., Физика твердого тела, 63 (2021), 324
  47. Темирязев А. Г. и др., Физика твердого тела, 60 (2018), 2158
  48. Sato H. et al., J. Appl. Phys., 2008, 114
  49. Ким П. Д. и др., ЖТФ, 74:4 (2004), 53
  50. Кудрин А. В. и др., Физика твердого тела, 59 (2017), 2203
  51. Sinova J., MacDonald A. H., Semiconductors and Semimetals, v. 82, Ed. E. R. Weber, Elsevier, Amsterdam, 2008, 45
  52. Nagaosa N. et al., Rev. Mod. Phys., 82 (2010), 1539
  53. Kuznetsov Yu. M. et al., J. Phys. Conf. Ser., 933 (2018), 012015
  54. Kuznetsov Y. et al., J. Phys. Conf. Ser., 1124 (2018), 061004
  55. Kuznetsov Y. et al., J. Phys. Conf. Ser., 1695 (2020), 012145
  56. Arsenieva A. D. et al., J. Magn. Magn. Mater., 99 (1991), 167
  57. Flanders P. J., J. Appl. Phys., 63 (1988), 3940

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).