UDEL'NOE ELEKTRIChESKOE SOPROTIVLENIE NANOPOROShKA KARBIDA KREMNIYa

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

Представлены результаты экспериментального исследования удельного электрического сопротивления нанопорошка карбида кремния чистотой 93% β-SiC и 6.8% α-SiC. Средние размеры частиц нанопорошка изменяются в диапазоне 30–87.4 нм в зависимости от способа измерения. Реализована двух-зондовая схема измерения электрических параметров при постоянном токе. Для этого нанопорошок засыпался в цилиндрическую стеклянную трубку (экспериментальный участок) и уплотнялся, результирующая плотность равна 1.23 г см–3. Вольт-амперные характеристики получены при температурах 291.3, 300.1, 302.4 К. Показано, что вольт-амперные характеристики представляют собой линейные функции, которые не зависят от направления тока. Удельное электрическое сопротивление варьируется в диапазоне значений 84.5 ± 10 Ом м.

Bibliografia

  1. Bouanga C.V., Saloie S., Fŕchette M.F., Couderc H., David E. Elecrrical Resistivity Characterization of Silicon Carbide by Various Methods // Int. Symp. Electrical Insulation, 10–13 June 2012, San Juan, PR, USA. P. 43.
  2. Беленков В.А., Агалямова Э.Н., Грешняков В.А. Классификация и структура фаз карбида кремния // ФТТ. 2012. Т. 54. Вып. 2. С. 404.
  3. Racette J.H. Intrinsic Electrical Conductivity in Silicon Carbide // Phys. Rev. 1957. V. 107. № 6. P. 1542.
  4. Horowitz P., Hill W. The Art of Electronics. London, N.Y.: Cambridge Univ. Press, 1981. 600 p.
  5. Лыков А.В. Теория теплопроводности. М.: Высшая школа, 1967. 599 с.
  6. Чиркин В.С. Теплофизические свойства материалов ядерной техники. Спр. М.: Атомиздат, 1968. 484 с.
  7. Костановский А.В., Зеодинов М.Г., Хищенко К.В., Костановская М.Е., Пронкин А.А. Контактное сопротивление, нормальная монохроматическая излучательная способность и удельное электрическое сопротивление карбида кремния при температурах 800–1400 К // ТВТ. 2025. Т. 63. № 5. С. .
  8. Taki Y., Kitiwan M., Katsui H., Goto T. Electrical and Thermal Properties of off-Stoichiometric SiC Prepared by Spark Plasma Sintering // J. Asian Ceramic Soc. 2018. № 6(1). P. 95.

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar

Declaração de direitos autorais © Russian Academy of Sciences, 2025

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).