Подавление вклада внутризонного поглощения 
в характерное время релаксации узконаправленной части 
стимулированного пикосекундного излучения гетероструктуры Al_xGa_1–xAs–GaAs–Al_xGa_1–xAs

Экспериментально обнаружено, что возвращение в активную область отраженной от торца гетероструктуры Al_xGa_1–xAs–GaAs–Al_xGa_1–xAs части ее собственного интенсивного стимулированного пикосекундного излучения приводит к значительному сокращению характерного времени релаксации узконаправленной доли генерируемого излучения. Сокращение происходит благодаря регулируемому уменьшению, вплоть до исчезновения, того вклада в характерное время, который вызван поглощением излучения свободными носителями заряда.