Получение аналитических выражений для характеристик полевых транзисторов с помощью специальной функции Ламберта

Получены аналитические выражения для характеристик полевых транзисторов с управляющим p–n переходом и полевых МДП-транзисторов со встроенным каналом (рассмотрены транзисторы и с n-каналом, и с p-каналом). Вместо функции гиперболического тангенса, которая используется в известной модели Кертиса-Эттенберга, новые выражения построены на основе вольт-амперной характеристики полупроводникового диода с омическим сопротивлением (при этом использована специальная функция Ламберта). Эти выражения описывают и линейный режим, и режим насыщения, и режим отсечки. Используются четыре параметра. Также предложен способ учета наклона характеристик (при этом добавляется еще один параметр). Представлены примеры графиков, построенных с помощью полученных выражений.

характеристики полевого транзистора, полевой транзистор с управляющим p–n переходом, МДП-транзистор со встроенным каналом, функция Ламберта