Отправить статью по E-mail 
Конструктивное исполнение периферийного участка пальцев мощных сверхвысокочастотных латеральных транзисторов
- Авторы: Алексеев Р.П.1, Пролубников П.В.1, Мальцев В.В.1, Куршев П.Л.1, Цоцорин А.Н.1, Семейкин И.В.1
-
Учреждения:
- АО «Научно-исследовательский институт электронной техники»
- Выпуск: Том 70, № 7 (2025)
- Страницы: 664-671
- Раздел: ЭЛЕКТРОНИКА СВЧ
- URL: https://ogarev-online.ru/0033-8494/article/view/317071
- DOI: https://doi.org/10.7868/S3034590125070052
- ID: 317071
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
Об авторах
Р. П. Алексеев
АО «Научно-исследовательский институт электронной техники»
Email: arp@niiet.ru
ул. Старых Большевиков, 5, Воронеж, 394033 Российская Федерация
П. В. Пролубников
АО «Научно-исследовательский институт электронной техники»ул. Старых Большевиков, 5, Воронеж, 394033 Российская Федерация
В. В. Мальцев
АО «Научно-исследовательский институт электронной техники»ул. Старых Большевиков, 5, Воронеж, 394033 Российская Федерация
П. Л. Куршев
АО «Научно-исследовательский институт электронной техники»ул. Старых Большевиков, 5, Воронеж, 394033 Российская Федерация
А. Н. Цоцорин
АО «Научно-исследовательский институт электронной техники»ул. Старых Большевиков, 5, Воронеж, 394033 Российская Федерация
И. В. Семейкин
АО «Научно-исследовательский институт электронной техники»ул. Старых Большевиков, 5, Воронеж, 394033 Российская Федерация
Список литературы
- Алексеев Р.П., Цоцорин А.Н., Черных М.И. // Электроника НТБ. 2020. Т. 00195. № 4. С. 98.
- Алексеев Р.П., Семейкин И.В., Цоцорин А.Н., Куршев П.Л. // Электроника НТБ. 2023. Т. 00223. № 2. С. 92.
- Theeuwen S.J.C.H., Mollee H., Heeres R., van Rijs F. // 2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conf. (EuMIC). Madrid. 23–25 Sept. N.Y.: IEEE, 2018. P. 162.
- Алексеев Р.П., Семейкин И.В., Цоцорин А.Н., Куршев П.Л. // ФТП. 2022. Т. 56. № 11. С. 1088.
- Tкачев А.Ю., Петров Б.К., Асессоров В.В. и др. // Вестник ВГТУ. 2010. Т. 6. № 5. С. 112.
- Алексеев Р.П., Быкадорова Г.В., Бормонтов Е.Н. // Энергия-XXI век. 2016. Т. 93. № 1. С. 68.
- Бачурин В.В., Корнеев С.В., Крымко М.М. // Способ изготовления СВЧ LDMOS-транзисторов. Патент РФ на изобретение № 2 498 448. Опубл. офиц. бюл. «Изобретения. Полезные модели» № 31 от 10.11.2013.
- Theeuwen S.J.C.H., van Rijs F., Hammes P.C.A. et al. // Electric Device Comprising an LDMOS Transistor. US Patent № 7 521.768 B2. Publ. 21.04.2009.
- De Boet J.A.M., Peuscher H.J., Bron P., Theeu- wen S.J.C.H. // LDMOS Having a Field Plate. US Patent № 8.450 802 B2. Publ. 28.05.2013.
- Theeuwen S.J.C.H., Qureshi J.H. // IEEE Trans. 2012. V. VTT-60 № 6. P. 1755.
- Chandler P.R. // High Voltage Semiconductor Device and Method of Fabrication. Patent US № 10 886 39. Publ. 05.01.2021.
Дополнительные файлы
