Spectral Sensitization of Photo-EMF in Monocrystalline Silicon


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The effect of an organic dye deposited on the surface of a semiconductor on the photo-EMF spectrum in monocrystalline silicon has been studied. Sensitization of the internal photoeffect has been found in the semiconductor in the absorption band of the dye. An optimal concentration of the dye on the semiconductor surface that corresponds to a dye film thickness of 10–15 nm has been determined. The mechanism of sensitization is discussed on the basis of the theory of nonradiative inductive-resonant energy transfer from the dye to the semiconductor.

Авторлар туралы

M. Goryaev

Herzen State Pedagogical University of Russia

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: mgoryaev@mail.ru
Ресей, St. Petersburg, 191186

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2019