Dislocation contribution to hysteresis mechanism of internal friction at homological temperatures below 0.2


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The computations of the internal friction background arising due to the hysteresis mechanism of dislocation mobility in metallic systems at low temperatures carried out by different model representations are presented. It is shown that the general background of internal friction contains not only the losses due to hysteresis mechanism of oscillatory motions but also the losses due to other mechanisms of the structure defect mobility.

Негізгі сөздер

Авторлар туралы

A. Gorshkov

Moscow Technological University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: ag60341@gmail.com
Ресей, pr. Vernadskogo 78, Moscow, 119454

E. Korovaitseva

Institute of Mechanics

Email: ag60341@gmail.com
Ресей, Michurinskii pr. 1, Moscow, 119192

V. Lomovskoi

Moscow Technological University

Email: ag60341@gmail.com
Ресей, pr. Vernadskogo 78, Moscow, 119454

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Allerton Press, Inc., 2017