THE EFFECT OF POSTGROWTH ANNEALING ON THE DISLOCATION STRUCTURE OF GERMANIUM CRYSTALS

Cover Page

Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription Access

Abstract

The effect of postgrowth annealing on the dislocation structure of germanium low-dislocation-density single crystals 100 mm in diameter grown by the Czochralski method has been studied. The annealing was performed at 700°C for 40 h in the thermal unit of crystal puller before cooling. It was found that the dislocation density ranging from 14 to 105 cm−2 in crystals growing with postgrowth annealing. The average dislocation density in crystals growing without annealing is on five times more.

About the authors

A. F Shimanskii

Siberian Federal University

Email: shimanaf@mail.ru
Krasnoyarsk, Russia

A. P Grigorovich

JSC "GERMANIUM"

Krasnoyarsk, Russia

I. A Kaplunov

Tver State University

Tver, Russia

T. V Kulakovskaya

JSC "GERMANIUM"

Krasnoyarsk, Russia

E. D Kravtsova

Siberian Federal University

Krasnoyarsk, Russia

M. N Vasilyeva

Siberian Federal University

Krasnoyarsk, Russia

References

  1. Dimroth F., Kurtz S. // MRS Bull. 2007. V. 32. P. 230. https://doi.org/10.1557/mrs2007.27
  2. Luque A., Hegedus S. Handbook of Photovoltaic Science and Engineering. Chichester: John Wiley & Sons Ltd, 2003. 1168 p.
  3. Claeys C.L., Simoen E. Germanium-Based Technologies: from Materials to Devices. 1st ed. Berlin: Elsevier, 2007. 449 p.
  4. Claeys C.L., Simoen E. Extended Defects in Germanium: Fundamental and Technological Aspects. Berlin: Springer, 2009. 297 p. https://doi.org/10.1007/978-3-540-85614-6
  5. Depuydt B., Theuwis A., Romandic I. // Mater. Sci. Semicond. Process. 2006. V. 9. № 4–5. P. 437. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2006.08.002
  6. Kalem S., Romandic I., Theuwis A. // Mater. Sci. Semicond. Process. 2006. V. 9. № 4–5. P. 753. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2006.08.035
  7. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984. 256 с.
  8. Инденбом В.Л., Житомирский И.С., Чебанова Т.С. // Кристаллография. 1973. Т. 18. Вып 1. C. 39.
  9. Smirnov Yu.M., Ivanova A.I., Kaplunov I.A. // Crystallography Reports. 2008. V. 53. № 7. P. 1133. https://doi.org/10.1134/S1063774508070067
  10. Woo S., Bertoni M., Choi K. et al. // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2016. V. 155. P. 88. https://doi.org/10.1016/j.solmat.2016.03.040
  11. Talanin V.I., Talanin I.E. // J. Cryst. Growth. 2020. V. 552. P. 125928. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2020.125928
  12. Murao Y., Taishi T., Tokumoto Y. et al. // J. Appl. Phys. 2011. V. 109. № 11. P. 113502. https://doi.org/10.1063/1.3592226
  13. Шиманский А.Ф., Кравцова Е.Д., Кулаковская Т.В. и др. // Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 3. С. 285. https://doi.org/10.21883/FTP.2022.03.52112.9765
  14. Ежлов В.С., Мильвидская А.Г., Молодцова Е.В., Меженный М.В. // Изв. вузов. Материалы электронной техники. 2013. № 4. С. 13. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-4-13-17
  15. Смирнов Ю.М., Каплунов И.А., Колесников А.И. Способ выращивания монокристаллов германия: Патент РФ, № 2261296. 27.09.2005. Бюл. № 27.
  16. Nayfeh A., Chui C.O., Saraswat K.C., Yonehara T. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. № 14. P. 2815. https://doi.org/10.1063/1.1802381
  17. Шевченко С.А. // Физика и техника полупроводников. 2000. Т. 34. № 5. С. 543.
  18. Григорович А.П., Кулаковская Т.В., Шиманский А.Ф. и др. Тез докл. XXVII Междунар. науч.-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 29–31 мая 2024. С. 222. https://doi.org/10.51368/978-5-94836-696-8-2024-222
  19. CGSim package for analysis and optimization of Cz, LEC, VCz, and Bridgman growth of semiconductor and semitransparent crystals/STR. http://www.str-soft.com/products/CGSim/

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
Download

Copyright (c) 2025 Russian Academy of Sciences

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).