Anisotropy of Mechanical Properties of CdTe-Based Crystals

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Samples of CdTe-based crystals were characterized. Elemental and phase composition of samples were determined. Microhardness of samples was studied on two perpendicular surfaces. It is shown that in crystals with main CdTe phase and varied dopants the mechanical anisotropy is not observed. In crystals with main CdZnTe the anisotropy of microhardness is observed, it is connected with different lengths of Cd–Te and Zn–Te bonds, which results in nonsymmetrical distortions of crystal lattice. Difference in microhardness of CdTe crystals observed in work is explained by difference of structural parameters.

Авторлар туралы

P. Podkur

Shubnikov Institute of Crystallography of the Kurchatov Complex Crystallography and Photonics of the NRC "Kurchatov Institute"

Email: podkur.p@crys.ras.ru
Moscow, Russia

N. Bashlykov

Shubnikov Institute of Crystallography of the Kurchatov Complex Crystallography and Photonics of the NRC "Kurchatov Institute"; MIREA — Russian Technological University

Moscow, Russia; Moscow, Russia

I. Koshelev

Shubnikov Institute of Crystallography of the Kurchatov Complex Crystallography and Photonics of the NRC "Kurchatov Institute"

Moscow, Russia

I. Volchkov

Shubnikov Institute of Crystallography of the Kurchatov Complex Crystallography and Photonics of the NRC "Kurchatov Institute"

Moscow, Russia

V. Kvartalov

Shubnikov Institute of Crystallography of the Kurchatov Complex Crystallography and Photonics of the NRC "Kurchatov Institute"

Moscow, Russia

V. Kanevsky

Shubnikov Institute of Crystallography of the Kurchatov Complex Crystallography and Photonics of the NRC "Kurchatov Institute"

Moscow, Russia

Әдебиет тізімі

  1. Gnatyuk V.A., Maslyanchuk O.L., Solovan M., Brus V. // Sensors. 2021. V. 21. № 10. P. 3518. https://doi.org/10.3390/s21103518
  2. Mycielski A., Maslowska A., Kochanowska D., Wit­kovska-Baran M. // Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 2021. V. 67. № 4. P. 100543. https://doi.org/10.1016/j.pcrysgrow.2021.100543
  3. Hage-Ali M., Siffert P. // Semicond. Semimet. 1995. V. 43. P. 259. https://doi.org/10.1016/S0080-8784(08)62746-5
  4. Заверюхин Б.Н., Мирсагатов Ш.А., Заверюхина Н.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. № 22. С. 80.
  5. Wang Y., Wang G., Zhou Yu. et al. // Renew. Sustain. Energy Rev. 2023. P. 113427. https://doi.org/10.1016/j.rser.2023.113427
  6. Zghaibeh M., Okonkwo P., Emori W., Ahmed T. // Int. J. Green Energy. 2023. V. 20. № 5. P. 555. https://doi.org/10.1080/15435075.2022.2126943
  7. Romeo A., Artegiani E. // Energies. 2021. V. 14. № 6. P. 1684. https://doi.org/10.3390/en14061684
  8. Rühle S. // Sol. Energy. 2016. V. 130. P. 139. https://doi.org/10.1016/j.solener.2016.02.015
  9. Valmik B.G., Deshpande M.P., Bhatt S.V., Sathe V. // Phys. B: Condens. Matter. 2021. V. 614. P. 413027. https://doi.org/10.1016/j.physb.2021.413027
  10. Подгорный С.О., Подгорная О.Т., Скутин Е.Д. и др. // Динамика систем, механизмов и машин. 2016. Т. 3. № 1. С. 275.
  11. Chusnutdinow S., Schereyck S., Kret. S. et al. // Appl. Phys. Lett. 2020. V. 117. № 7. P. 072102. https://doi.org/10.1063/5.0018686
  12. Шалдин Ю.В., Вархульска И. // Неорган. материалы. 2003. Т. 39. № 10. С. 1218.
  13. Комарь В.К., Сулима С.В., Чугай О.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. № 13. C. 1. https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/14234
  14. Пашаев Э.М., Каневский В.М., Пурцхванидзе А.А., Перегудов В.Н. // Физ. и техн. полупроводников. 1991. Т. 25. № 6. С.1080.
  15. Редько Р.А. // Петербургский журнал электроники. 2015. Т. 2. С. 21.
  16. Grechkina M.V., Bormontov E.N. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2017. Т. 19. № 1. С. 133. https://doi.org/10.17308/kcmf.2017.19/185
  17. Иванова Е.С., Румянцев И.Д., Петржик Е.А. // ФТТ. 2016. Т. 58. № 1. С. 125. https://doi.org/10.1134/S1063783416010157
  18. Волчков И.С., Ополченцев А.М., Павлюк М.Д., Каневский В.М. // Кристаллография. 2018. Т. 63. № 5. C. 746.
  19. Волчков И.С., Каневский В.М., Павлюк М.Д. // Письма в ЖТЭФ. 2018. Т. 107. № 4. С. 276.
  20. Уоррен П.Д., Робертс С.Г., Хирш П.Б. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1987. Т. 51. № 4. С. 812.
  21. Гурин В.Н., Корсукова М.М., Деркаченко Л.И. // ФТТ. 1998. Т. 40. № 3. С. 481.
  22. Шаскольская М.П. Кристаллография. М.: Высшая школа, 1976. 392 с.
  23. Чирадзе Г.Д. // Физика и химия обработки материалов. 2009. Т. 3. С. 77.
  24. Сизова Н.Л., Волошин А.Э., Маноменова В.Л. и др. // Кристаллография. 2012. Т. 57. № 3. С. 466.
  25. Каримов Д.Н., Лисовенко Д.С., Сизова Н.Л., Соболев Б.П. // Кристаллография. 2018. Т. 63. № 1. С. 106. https://doi.org/10.7868/S0023476118010101
  26. Ivanov Y.M., Artemov V.V., Kanevsky V.M. et al. // Eur. Phys. J. Appl. Phys. 2004. V. 27. № 1–3. P. 371. https://doi.org/10.1051/epjap:2004086
  27. Xu H., Xu R., Huang J. et al. // Appl. Surf. Sci. 2014. V. 305. P. 477.
  28. Белогорохов А. И., Белогорохова Л.И., Белов А.Г. и др. // Автометрия. 1998. Т. 3. С. 84. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2014.03.117
  29. Darinskaya E.V., Petrzhik E.A., Ivanov Y.M. et al. // Phys. Status Solidi. C. 2005. V. 2. № 6. P. 1873. https://doi.org/10.1002/pssc.20046055324

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу

© Russian Academy of Sciences, 2025

Согласие на обработку персональных данных

 

Используя сайт https://journals.rcsi.science, я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных») даю согласие на обработку персональных данных на этом сайте (текст Согласия) и на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика» (текст Согласия).